| 研究概要 |
Si基板上に燐化インジウム(InP)を成長する予備実験として、Si上にGaAsとGaAsPとの成長を行った。中間層はX=0〜0,4の間ではGaP,GaP/GaAsP歪超格子,GaAsP/GaAs歪超格子であり、X=0.4〜0.75の間ではGaP,GaP/GaAsP歪超格子であり、X=0.75〜1の間では、GaPのみである。X=0〜0.4の間で鏡面な結晶が得られた。X=0.2〜0.4の間では室温PL半値幅は45〜58mevであった。4.2KのPLスペクトルはXか増加させるとX=0.56で大きく変化する。これは遷移が直接から間接に変わったためだと考えられる。デバイス応用として、Si上にGaAsレーザとGaAsPLEPを作製した。赤色で発光する可視光LEDがSi上に形成することができた。
今後は今までの結果をふまえてSi上に成長したGaAsやGaAsPの上にLPE法でInGaAsP等の混晶半導体を成長する。また、光デバイスへの応用としてこの上にInGaAsPの可視光レーザまたはLED(発光ダイオード)を作製する。
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