研究概要 |
1. 氷のひげ結晶(ウィスカー)の成長に不可欠な基盤結晶である沃化鉛の単結晶育成装置を作製し、直径5mm程度の単結晶の育成が可能になった。 2. 本補助金で購入した低温循環恒温槽,LAUDA-SK80Dを用いて、最低-80℃の低温における氷のひげ結晶の育成,その場観察のための装置を作製した。この装置の特色は、任意の種類の種結晶を、任意の方向に向けることができることである。 3. 育成した沃化鉛の(0001)面を下地に用いて、氷のひげ結晶を成長させることに成功した。しかしながら、わずかな条件の違いでひげ結晶でなく太めの柱状結晶が成長することが多く、ひげ結晶を確実に成長させる方法・条件を探求中である。また、ひげ結晶がうまく成長した場合に-40〜-70℃で、ひげ結晶の〈0001〉方向の成長速度と過飽和度との関係を測定した。 4. ひげ結晶の先端に向かう拡散流と先端部表面上での成長カイネティクスを考慮して成長速度を導出する方法についての理論研究も行った。
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