| 研究課題/領域番号 |
60550222
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| 研究種目 |
一般研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子材料工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
高橋 研 東北大, 工学部, 助教授 (70108471)
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| 研究分担者 |
大嶋 重利 東北大学, 工学部, 講師 (40124557)
脇山 徳雄 東北大学, 工学部, 教授 (40005244)
田中 寿郎 東北大学, 工学部, 助手 (60171782)
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| 研究期間 (年度) |
1985 – 1986
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| キーワード | 超格子 / 多層膜 / スキュー / 磁化リップル / 実効透磁率 / 軟磁性 |
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| 研究概要 |
超格子薄膜の一例として、初年度FeとBiとの超格子薄膜、次年度として、アモスファスCo79Zr10Mo9Ni2超格子多層膜を作成した。Fe-Bi積層膜の場合は、一単位の膜厚が10A°以下の場合には超格子性は確認できずFe膜上のBiは島状構造となるのが判った。Co-Zr系非晶質薄膜とSiO2膜との場合には超格子性が確認された。Co-Zr系非晶質薄膜の場合には、磁気的不均質性を評価する一つの試みとして、咋年度製作した動的微分磁化率計測装置を用いた実験を行ない、1.長波長の異方性分散項であるスキュー、又、微視的な異方性分散項である磁化リップル項、及び巨視的な異方性磁界、Hk、の膜厚及び積層数依存性2.多層化、及び磁場冷却処理に伴う上記諸量の変化過程を詳細に調べた。又、単層及び超格子多層膜各々について、約10MHzまでの実効透磁率、μeffを計測し、磁気的不均質性を表わす上記1の物理量とμeffとの対応関係について、詳細に検討した。その結果以下の事が明らかとなった。1 Co-Zr系非晶質積層膜において、Hk及び短波長の異方性分散の低減は、一層の厚みが0.2μm(積層数10層)において最も顕著となる。2 積層膜における磁場中冷却処理は、スキューの減少に大きく寄与する。しかしながら、微視的な磁気的不均質性の改善には到らない。3 1MHz以下での低周波域における実効透磁率の大きさは、低いHk値の場合には長波長の異方性分散の大小に、比較的高いHk値の場合は、ほぼHk値により決定される。一方、高周波域(10MHz)におけるμeffの大小は、微視的な異方性分散の大小により決定されれる。従って、10MHz以上の高周波域においては、良好な軟磁気特性を導出させるためには、微視的な異方性分散量を低減させる事が重要である。
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