| 研究分担者 |
白藤 純嗣 大阪大学, 工学部, 助教授 (70029065)
新井 夫差子 東京大学, 工学部, 助手 (10010927)
赤崎 勇 名古屋大学, 工学部, 教授 (20144115)
長谷川 文夫 筑波大学, 物質工学系, 助教授 (70143170)
井上 正嵩 大阪工業大学, 工学部, 教授 (20029325)
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| 研究概要 |
1.GaAlAs,InGaAs混晶で遠赤外サイクロトロン共鳴から、はじめて有郊質量,組成依存性,電子衝突,緩和時間が結定された。(大山)
2.GaAlAs/GaAs超格子中のホット・ルミネッセンスから電子温度や実空間せん移効果と電界の関係が求められた。(井上,犬石)
3.広ギャップ混晶InGaAsP,AlGaNヘテロ接合中の深さ方向欠陥分布を可変波長光電流(LBIC)で直視する方法が開発され、MOVPE法によるGaAlN結晶成長の最適条件光学特性が決定された。(赤崎)
4.レーザーCVDでInGaAs上にSiNx膜を形成、光エッジングを併用することによって、表面準位蜜度Nss=5×【10^(11)】/【cm^2】程度のMISダイオードが、はじめて得られた。(白藤)
5.InP,InGaAs上にCVD法でPAsN膜を成長したMISダイオードで、それぞれNss=2×【10^(10)】/【cm^2】,【10^(12)】/【cm^2】の良好な特性を得た。(新井)
6.安全なクロライド法(VPE)を用いるGaAlAs結晶作成法をはじめて確立し、GaAs上のAlN膜作成の最適条件を求めた。(長谷川、吉田)
7.MBE n-GaAs/n-【In_(0.093)】【Ga_(0.907)】As/【p^+】-GaAsヘテロ構造中の欠陥分布が、DLTSで求められ、2つの電子トラップはヘテロ界面の格子不整合歪と無関係であることが判った。(本郷,白藤)
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