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本年度は以下のような研究を行った。
1.マイクロプロ-ブ・オ-ジェ電子回折装置の最後のテストとして、下地Si(111)7x7表面とInを吸着させたSi(111)√<3>x√<3>ーIn表面のIn MNN マイクロプロ-ブ・オ-ジェ電子回折パタ-ンを測定し、結果を既知の構造モデルを用いて解析し、良好な一致を得た。
3.Si(111)4x1ーIn表面のマイクロ・ドメインを、RHEED暗視野像を取ることによって、観察した。
4x1シングル・ドメインをマイクロプロ-ブで捜すことによって、かなり大きなシングル・ドメイン4x1表面を作ることができた。この表面について、In MNN マイクロプロ-ブ・オ-ジェ電子回折パタ-ンの測定を行った。結果を現在解析中である。
4.試料中を流れる電流よって、Si(111)表面上のInの移動が起こる。この電流効果のUHVーSEEによる観察を行った。
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