| 研究概要 |
前年度の研究成果を踏まえ,ZnSxSe.ナD21ーx.ニD2の最適成長条下で,NH.ナ_<3.ニ>を用いた窒素ドーピングを引き続き行った. 成長膜の評価手段には主にフォトルミネッセンスを用いた.
1. ZnSeへの窒素ドーピング NH.ナ_<3.ニ>のドーピングによって中性アクセプタに束縛された励起子発光(I^S.ナ_<1.ニ>)が主発光として強く現われた. その発光エネルギーからHaynes'ruleを用いて窒素アクセプタ準位(Ea)を求めると110meVとなり,他の研究報告値と良く一致した. またFree to Acceptor(FA)発光エネルギーからもEa〜110meVを得た. なおDeepセンタ発光強度はドーピングによって増加せず,窒素は欠陥などの深い準位を作らないことがわかった.
2.ZnSxSe.ナD21ーx.ニD2への窒素ドーピング Undoped膜ではほとんど現われないDAペア発光がNH.ナ_<3.ニ>ドーングによって明瞭に観測された. またI^S.ナ_<1.ニ>発光もさほど貯くないが明らかに観測され,その発光エネルギーからEa〜110meVが求まった. またFA発光エネルギーからEa〜117meVを得た. 60KにおけるFA発光強度からアクセプタのドープ量を評価した. その結果,NH.ナ_<3.ニ>量の流加に伴いFA発光強度がほぼ比例して増加することがわかった. クラッキング・セルを用いドーピング効率の向上を目指した. クラッキング温度が300℃付近でドープ量の若干の増加がみられたが,飛躍的に効率を向上させることは出来なかった. 窒素ドープしたZnSxSe.ナD21ーX.ニD2の表面モフォロジーや結晶性はUndoped膜と同程度に良好で,ドーピングによる悪化はみられなかった. 今後ドーピング効率の向上を目指して原料の選択,ドーピング方法の工夫などが必要と思われる.
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