| 研究概要 |
本研究の目的は三元系カルコパイライト型半導体における構成元素と諸物性の関係を体系化し、これらの指導原理をカルコパイライト混晶半導体の材料設計へ応用することを試みることにある。
1.体系化を行う手初めとして、元素及び二元系化合物半導体における諸物性間の相関を調査し、これを三元系カルコパイライト化合物へ拡張した。拡張に際し三元系の諸物性値はケミカル・アブストラクツにより過去6年間の研究内容を調査し、膨大な資料の中から禁制帯幅,融点,格子定数,デバイ温度の他に移動度,有効質量,屈折率,非線形光学定数,熱起電力,熱伝導率などの物質パラメーターを抽出した。またデータ不足の化合物に対しては実際に合成し、X線解析,電気的測定,光学的測定,熱分析を行い諸物性値を求めた。これらの調査研究より化合物半導体の物性的な位置づけを行う手段としてイオン度に着目した。誘電理論によるイオン度の定義から度合を数量化することにより、化合物の物性を決定する価電子のエネルギー状態が記述され、各物質の物性的な位置づけがなされた。
2.エネルギー変換素子用材料の開発という観点から、種々の目的に応じた半導体を供給するためには、いかに多元化しても化合物のみでは不十分である。そこで化合物間の混晶によりそのギャップを埋めることが可能となる。これを受けて材料設計の指針となる基本的パラメーターとして構成元素の平均原子量を導入した。半導体物性は平均原子量に対し、ある種の共有エネルギーにもとずく相関を示すことが予想され、現在カルコパイライト混晶系に対し、最も基本的で重要な禁制帯幅とヘテロ接合における格子整合を与えるパラメーターについて組成に対する等高線図を作製中である。またこの等高線図から予想される混晶を実際に作成し、その検証を行う予定である。
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