| 研究課題/領域番号 |
61550234
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| 研究機関 | 関西大学 |
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研究代表者 |
横田 勝弘 関西大, 工学部, 助教授 (50067617)
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| 研究分担者 |
田村 進 関西大学, 工学部, 助手 (10067754)
片山 佐一 関西大学, 工学部, 教授 (90067398)
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| キーワード | 化合物半導体 / 不純物 / 電気的特性 / 微小元素分析 |
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| 研究概要 |
ブリジマン法で、Te過剰の融液から作ったCdTeがなぜP形になるかについては計画調書と交付申請書に記載した。このCdTeのキャリア密度の温度依存性から、キャリアはTeの過剰に基づくCd空孔に基因するものではなく、Te格子位置を占めるP形不純物によっていることが判った。不純物がTe格子位置を占有することを柳制するために、CdTe成長過程でのTeの損失を防げばよい。TeはCdより酸化され易いので、その過程から水分を除く一つの方法として、クライオポンプを使った。このようにして作ったCdTeは高抵抗になった。右表はクライオポンプを用いて作ったCdTe拡散ポンプを用いて作ったものの不純物分析の結果である。両者の方法で作ったCdTe中の不純物濃度には殆んど差異はない。クライオポンプで作ったCdTeが高抵抗になったのは残存水分が減ったためである。この結果については現在まとめている最中である。
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