| 研究概要 |
主鎖形高分子液晶としてジヒドロキシアゾキシベンゼンをメソゲンとし、オキシエチレン鎖を屈曲鎖とするポリカーボネートについて、外部電場・磁場下での応答特性について検討した。外部電場に対する応答速度は温度が高くなると系の粘性が低くなるために速くなる。外部電場除去時の応答速度は印加時のそれよりも100倍大きい。
外部磁場下での配向挙動についてはESRスピンプローブ法によりオーダーパラメーター(S)を求めた。CN基を有する高分子液晶は温度が高いと、ニトロキシラジカルと-CN基が反応し、ラジカル濃度の減少が起るので、主にバチジルアセチルアセトンを用いてSを求めた。Sは測定温度と分子量に依存して大きく変る。温度が高くなるにつれてSは減少する。分子量が1万ぐらいまでは急激に増加し、それ以上の分子量ではほゞ一定である。またSと熱測定から求めたエントロピー変化とは相関関係が認められた。高分子液晶やモデル低分子液晶のオーダーパラメーターから各種の配向状態が明らかにされつゝある。
重合条件(濃度,重合方法,重合温度,触媒等)の検討から溶媒に可溶な高分子液晶については各種分子量を有する高分子液晶を得ている。
液晶配向状態における押出し物の組織構造の変化についてはX線回折法で検討した。いずれもスメクチック配向の高分子液晶について行った。X線回折の結果いずれもSc配向で、しかもそこに用いられているメチレン鎖は、おりたたみ構造をしていることが確認された。
低分子液晶と同じ手法で配向処理したガラス基板上で、分子量が96000という非常に大きいにもかかわらず、明瞭なウィリアムズドメインが観察された。さらに主鎖形高分子液晶についても同様な効果が認められるかどうか検討する必要がある。
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