| 研究概要 |
1.本研究の目的
エレクトロニクスデバイスの高性能化
従来のSi半導体デバイスより優れた高速性・低消費電力を特徴とする新デバイスの開発.
→超伝導ー半導体結合デバイス
2.本研究の研究実績
a)当初の計画
・超伝導体として用いるNbN薄膜の作成
・同薄膜の超伝導特性(Tc,コヒーレングス長など)の評価
・半導体基板の最適化
b)研究経過,実績
・本科研費により購入したマグネトロン型2極高周波スパッタ装置により,Nb,およびNbN超伝導薄膜の作成と最適製膜条件の選定を行なった. その結果,Nbで約9K,NbNで15KのTcが得られた.
・一方, Nbを用いた超伝導伝送路の理論的シミュレーンを行なって信号波形の解析を進め,損失・分散の無い伝送路の実現の可能性を検討した.
・研究計画ではNbなどの極低温超伝導体を対象としたが,YBaCuO系,BiSrCaCuO系の高温超伝導体を用いた電子デバイスの実現のためその薄膜化,特性評価を行なった.
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