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[文献書誌] K.Masu,Y.W.Yi,K.Tsubouchi and N.Mikoshiba: "“Temperature Scaling Theory for DeepーSubmicron MOSFET Operated at Low Temperature"" Proceedings of the Workshop on Low Temperature Semiconductor Electronics,(7,8 Aug.1989,Vermont)IEEE. 89TH0252ー7. 104-108 (1989)
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[文献書誌] 益一哉,易幼文,坪内和夫,御子柴宣夫: "ディ-プサブミクロンMOSFETにおける温度スケ-リング則" 電気学会論文誌C. tobepublished (1990)
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[文献書誌] 易幼文,益一哉,坪内和夫,御子柴宣夫: "温度スケ-リング則を用いた77K動作0.1μmMOSFETの設計" 電子情報通信学会 技術報告. SDM89ー75. 13-18 (1989)
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[文献書誌] 益一哉,易幼文,坪内和夫,御子柴宣夫: "“ディ-プサブミクロンMOSFETにおける温度スケ-リング則"" 平成元年春季応用物理学関係連合講演会. 1a-PG.16 (1989)
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[文献書誌] 易幼文,益一哉,坪内和夫,御子柴宣夫: "“低温動作MOSFETにおける温度スケ-リング則"" 平成元年春季応用学関係連合講演会. (1989)
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[文献書誌] 二ツ谷知士,岡部一弘,坪内和夫,御子柴宣夫: "“Si MOSFETにおける高速熱流回路設計"" 平成元年春季応用物理学関係連合講演会. 1a-PC.15 (1989)
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[文献書誌] 二ツ谷知士,坪内和夫,御子柴宣夫: "“バイポ-ラ・トランジスタにおける高速熱流回路設計"" 平成元年秋季応用物理学学術講演会. 28p-F.15 (1989)
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[文献書誌] 易幼文,益一哉,坪内和夫,御子柴宣夫: "“低温動作0.1μmMOSFETの設計"" 平成元年秋季応用物理学学術講演会. 28p-Y.6 (1989)
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[文献書誌] 横山道央,易幼文,益一哉,坪内和夫,御子柴宣夫: "“LaB_6ゲ-トMOSダイオ-ドの作製"" 平成元年秋季応用物理学学術講演会. 27p-D.13 (1989)
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[文献書誌] 易幼文,益一哉,坪内和夫,御子柴宣夫: "“温度スケ-リング則を用いた0.1μmMOSFETの設計"" 平成2年春季応用物理学関係連合講演会. 29p-ZD.6 (1990)
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[文献書誌] 横山道央,大橋俊夫,易幼文,益一哉,坪内和夫,御子柴宣夫: "フリ-ズアウトフリ-低温動作LaB_6ゲ-トデプレッションMOSFET" 平成2年春季応用物理学関係連合講演会. 28p-ZB.11 (1990)
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[文献書誌] 易幼文,益一哉,坪内和夫,御子柴宣夫: "低温動作解析用三次元デバイスシミュレ-タの開発" 平成2年春季応用物理学関係合連講演会. 3a-ZA.9 (1990)