| 研究課題/領域番号 |
62430016
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| 研究種目 |
一般研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
無機工業化学
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| 研究機関 | 岡山大学 |
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研究代表者 |
三蒲 嘉也 岡山大学, 工学部, 教授 (80032952)
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| 研究分担者 |
難波 徳郎 岡山大学, 工学部, 助手 (80218073)
尾坂 明義 岡山大学, 工学部, 助教授 (20033409)
坂東 尚周 京都大学, 化学研究所, 教授 (70027027)
高田 潤 岡山大学, 工学部, 教授 (60093259)
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| 研究期間 (年度) |
1987 – 1990
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| キーワード | セラミックスイエ格子 / 電子ビ-ム蒸着装置 / 活性化反応蒸着 / 機能性薄膜 |
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| 研究概要 |
真空中で、複数の蒸発源から金属を蒸させ、活性ガスと反応させて化合物の薄膜を基板上に堆積させる活性化反応蒸着法を用いて、酸化物人工格子薄膜の作製および単一化合物のエピタキシャル薄膜の物製を行うとともに、薄膜構造の評価と種々の物性測定を行い検討を加えた。研究成果は以下のように要約できる。
1)CoO/NiO,Fe_3O_4/CoOおよびFe_3O_4/SiO系人工格子酸化物薄膜が作製できた。これらはひずみ超格子を形成し、層厚によって磁気構造や磁気転移温度が異なることが判明した。
2)CoO/SiOx積層膜を作製し、水素還元によってCo金属超微粒子がSiOx層間にサンドイッチされたCo/SiOx積層膜を作った。Co微粒子は超常磁性を示し、SiOxは保護膜の働きをする。
3)Cu,YおよびBa金属の同時反応蒸着により、600 ^0CでYBa^3Cu^3O^<7ーX>超伝導薄膜を作製した。Tc=90Kであり、77KでのJc=4×10^6A・cm^<ー2>であった。
4)NiO/ZnO人工格子薄膜は、層厚が薄い時はいずれの結晶層もNaCl型構造をとるが、厚いときはZnO層はウルツ鉱型に変わる。
5)BaTiO_3の(100)配向エピタキシャル膜をSrTiO_3/Pt上に作製した。asーgrownで強誘電性であり、電気絶緑性>10^9Ω・cmであった。
6)化学量論組成のPbTiO^3配向膜を作製する手法を確立した。MgO(100)基板上にはc軸配向膜が、サファイアc面上には(111)面が優先配向した。asーgrownで強誘電性を示し、良好な焦電性を示した。
7)石英ガラス基板上ヘのc軸配向ZnO膜の生成メカニズムを詳しく検討した。また、ZnOにAlをド-プし、透明導電膜の作製を試をみた。その結果、基板温度150 ^0CでもA1が2〜5%ド-プし、透明膜が成膜可能であり、比抵抗が<1×10^<ー3>Ω・cmの膜作製が可能であった。
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