研究課題/領域番号 |
62460118
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研究機関 | 東京工業大学 |
研究代表者 |
松村 正清 東京工業大学, 工学部, 教授 (30110729)
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研究分担者 |
杉浦 修 東京工業大学, 工学部, 助手 (10187643)
小田 〓理 東京工業大学, 工学部, 助教授 (50126314)
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キーワード | カドミウム・テルル / 水銀・カドミウム・テルル / MBE / MOCVDインジウムアンチモン / ヘテロ接合 / MISトランジスタ / MIS構造ヘテロエピタキシャル成長 |
研究概要 |
ジ・ターシャル・ブチル・テルルを用いた減圧MOCVD装置を製作した。ゲートバルブを用いた簡単なロード・ロック機構により、成長室を常に真空に保つことが可能となった。また、パソコンに接続した電磁弁で空気作動バルブを制御し、導入ガスの急峻な切替を可能にした。充分な量の水銀を導入するために水銀導入系を300℃程度まで加熱できるようにすることが問題であったが、これは、耐熱性の極めて高い特殊バルブを用いることにより解決した。この装置により、0.1気圧程度の圧力でInSb上へのHgTeのヘテロエピタキシャル成長を試み、単結晶成長に成功した。 新たに導入したMBE成長装置を用いて、多結晶CdTeを原料としてCdTeのエピタキシャル成長を達成し、CdTe/InSbヘテロ構造を試作・評価した。その結果、真空MOCVD法で作製した場合よりも、界面準位密度およびCdTe膜の絶縁性が改善できることがわかった。また、MISトランジスタ実現を目指して、周辺プロセス技術(コンタクト穴形成技術、イオン注入より生じた表面損傷領域の除去技術、メサ構造のテーパー部分へのエピタキシャル成長条件など)について検討し、理想に近いトランジスタ形状を実現した。 HgTeのMBE成長を目指して、プラズマにより水銀を予め活性化してからMBE装置に導入することを試みた。ペニング放電とホットカソードを用いることにより、10^<-4>Torr台でも、数十Vという低電圧で、数百mAの電流が得た。そして、別に設けたヒータからTeを供給してHgTe膜を堆積し、EPMA測定より、プラズマの利用が水銀の導入効率を高めることを確かめた。
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