| 研究課題/領域番号 |
62460118
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| 研究種目 |
一般研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子材料工学
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
松村 正清 東京工業大学, 工学部 (30110729)
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| 研究分担者 |
杉浦 修 東京工業大学, 工学部, 助教授 (10187643)
小田 俊理 東京工業大学, 工学部, 助教授 (50126314)
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| 研究期間 (年度) |
1987 – 1989
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| キーワード | MISトランジスタ / ヘテロ接合 / インジウムアンチモン / カドミウムテルル / 界面準位 / MOCVD / MBE / MISキャパシタ |
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| 研究概要 |
本研究は、デバイス寸法縮小によるICの性能向上が、様々なサイズ効果のために期待できない21世紀において、InSbが重要な半導体材料となる可能性を秘めていることを示すことを目的とした。
CdTeとInSbがほぼ同じ格子定数を持ち、しかもCdTeのエネルギ-ギャップが1.6eVと広いのに対して、InSbのそれが0.23eVと狭いので、このヘテロ接合が77KではMIS構造とみなせることをはじめて指摘した。熱エネルギ-で規格化すると、この接合の77Kにおけるバンド構造は室温のSiO_2/Si構造に類似している。
真空MOCVD法によってInSb上にCdTeをエピタキシャル成長させた。DETは反応槽の人口で670℃でクラックした。Cdの原料としてはDMCdを用いた。250℃という低温でCdTeのエピタキシャル成長に成功し、この接合が77KではMIS構造とみなせることをC-V測定より確かめた。
MBE成長法を用いて良質なCdTe/InSbヘテロ接合を実現した。表面の鏡面の単結晶CdTe膜を基板温度が207℃から243℃の間で成長させた。このヘテロ接合は良好なMIS特性を示した。そして、最適成長温度が240℃程度であることがわかった。
MBE成長CdTe/InSbヘテロ接合を用いたInSbMISトランジスタをはじめえて試作して、その動作を確認しあ。電界効果移動度は1200cm^2/Vsであった。特性はMBE成長したInSbバッファ層を加えねばさらに改善できよう。
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