| 研究課題/領域番号 |
62550220
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| 研究機関 | 筑波大学 |
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研究代表者 |
村上 浩一 筑波大学, 物質工学系, 助教授 (10116113)
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| 研究分担者 |
升田 公三 筑波大学, 物質工学系, 教授 (90029405)
滝田 宏樹 筑波大学, 物質工学系, 助教授 (00011213)
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| キーワード | プロセス誘起欠陥 / 不純物 / 電子準位 / 電子スピン共鳴 / 界面バリヤ制御 / 線幅温度依存性 / off-center置換位置N |
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| 研究概要 |
半導体中の微小領域に生じたプロセス誘起欠陥及び不純物の電子構造及び電子準位に関する新しい知見を得ることを目的とし、off-center置換位置Nについて二通りの手法を試みた。
第一の手法はMetal-Oxide-Semiconductor(MOS)構造を形成し、それに電極をつけて直接電圧印加して電子スピン共鳴シグナルの変化を検出し、電子準位について情報を得ようとするものである。この実験は、酸化膜とSiとの界面近傍に界面準位が多く存在していること、及び、電極面積が大きいためリーク電流が無視できないこと等の問題点があることを明らかにし、検討課題とした。
第二の手法は電子スピン共鳴シグナルの線幅の温度依存性を測定し、不純物準位と伝導帯の間の不対電子の励起及びトラップに詳細平衡が成立していると考え、スピン緩和過程を解析することによって不純物の準位を決定するという新しい方法である。この方法によって、Si中のoff-center置換位置Nだけでなく、SiC中のNや他の系で、その電子準位が決定できることを明らかにした。
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