| 研究概要 |
ジョセフソン線路上におけるフラクソン・反フラクソンの相互作用の時空間にわたる波形の観測により位相量子の動特性の解明を行ったことに引きつづき, 〓束量子挿入ゲートの基本構成要素であるT.S2種の分岐に関する測定を進めた. T分岐に関する実験はファンアウト動作アンド動作の測定であり, S分岐に関する実験は位相量子の伝搬方向の選択性についての測定である. さらに量子論理回路の基本ロジック回路として提案した〓束量子挿入ゲートを実際に構成しそのゲートにおけるT分岐特性, S分岐特性を測定した. これらの結果は, LT18, ISEC87などの国際会議で発表した. 特にISEC87では位相量子デジタルデバイスの動特性に関して詳しく報告を行った. さらに現在論文として発表準備中である. 位相量子デジタルデバイスの作製は鉛合金系により従来進めてきたが, 鉛合金系による試料は歩留り, 経時変化ともに悪く, 十分な再現性のあるデータを得ることは難しいと判断し, ニオブ系への移行を積極的に進めた. 第一段階としてニオブ系接合は工業技術院電子技術総合研究所において製作した. ニオブ系の回路により量子ソリトン列と反量子ソリトン列のジョセフソン線路内における伝搬, 衝突, 衝突後の消滅, 透過などを新たに測定しそれらの線路バイアス依存性とともに再現性のよい詳細な実験的解析を行い研究会で発表した. またジョセフソン接合の等価インダクタンスを用いた線路におけるフラクソイド列の伝搬についても初めて実験的に観測することに成功した. さらにニオブ系回路による〓束量子挿入ゲートの製作も同時に行い予備的な測定を行った. 現在それについてさらに詳しい測定を行っている段階である.
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