| 研究概要 |
(1) 散乱線を含めてX線スペクトルを測定するために, 純Ge検出器(結晶の寸法10mmφ×7mm)の垂直入射光子について, 単色線レスポンス関数を, モンテカルロ法を用いて, 計算機シミュレーションで求めた. これを, 5〜150keVの1keV毎の単色光子入射について, 1keV毎にレスポンスを求めた.
(2) 純Ge結晶の入射位置特性と斜入射特性を測定した結果, 結晶の直径10mmのうち, 内部の7mmの範囲に20°以内に入射した場合には, 結晶中心に垂直入射した場合と比べて5%の誤差範囲でスペクトルを測定できることを確かめた.
(3) 入射角13°以内の散乱線を測定できるような, 鉛のコリメータを製作し, アクリルとアルミニウム被写体で, 厚さと, 被写体・検出器間の距離を変えて, 散乱線を含んだ光子スペクトルを測定し, (1)で求めた単色線レスポンス関数で補正した.
(4) 鉛コリメータで, 斜に穴をあけたので, 厚さの薄い部分を高エネルギーの光子が通過して, Ge結晶に入射し, スペクトルの高エネルギー部分が実際より多く検出される. これを補正する数式を導き出して, (3)で測定したスペクトルを補正した.
(5) 実験した幾何学的配置について, モンテカルロシミュレーションで, 検出器に入射する光子スペクトルを求めた結果, 実験結果とよく一致した.
(6) 実験および計算の結果から, グレーデル効果を, 光子スペクトル測定によって定量的に確かめた.
(7) X線写真撮影系の性能を評価する尺度として, 我々が前に提案した情報スペクトルを, 散乱線を含む場合に拡張して, 例を示した.
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