地域電子技術者と学内の共同利用半導体集積回路機能デバイス試作研究システムの開発

1988 年度 研究成果報告書概要

• 研究課題/領域番号: 62880035
• 研究種目: 試験研究
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 科学教育
• 研究機関: 宮城工業高等専門学校
• 研究代表者: 唐澤 信司 宮城高専, 電気工学科, 教授 (10042243)
• 研究分担者: 東山 尚稔 日本電気民生LSI事業部, 技術課長 ; 佐々木 〓彦 宮城高専, 電気工学科, 助教授 (50026308) ; 八木 正昭 宮城高専, 電気工学科, 教授 (80005371) ; 小枝 昌造 宮城高専, 電気工学科, 教授 (30042229) ; SASAKI Akihiko Associate Professor,Electrical Engineering Devision,M.N.C.T. ; HIGASHIYAMA Naotoshi Technical section head,Division of consumer LSI,Nippon Electric Company
• 研究期間 (年度): 1987 – 1988
• キーワード: 工業教育 / 公開講座 / 地域電子技術者 / 産学交流 / 試作研究システム / 半導体素子製造プロセス

研究概要

半導体素子の共同製作実験という内容の公開講座を2回にわたり実施し、クサビ型ソース・ドレインMOS FETの開発および温度センサ組込み型シリコン拡散抵抗ヒーターの製作等の共同研究を行なった。
公開講座は昭和62年7月28日より8月6日および昭和63年7月26日より8月4日の2回にわたり開催した。第1回目は講師6名、実験補助者7名、受講者6名で行ない、第2回目は講師8名、実験補助者7名、受講者6名で行なった。受講者は地域電子技術者のリーダー養成ということで企業から社命で派遣された優秀な人材に限られた。それ故受講者のレベルは高く、研究熱心であり、半導体素子の製作にも成功した。また試作研究の入門テキスト『P-MOS ICの製作』および『半導体センサの製作』を出版した。後者には、・試作研究におけるコンピュータ利用技術、および・研究発表の手法もまとめられている。
半導体機能デバイスの研究開発の具体的な課題として、一、シリコンに一体化された半導体加重計測デバイスおよび 二、シリコンに一体化組込み用半導体温度センサを取上げた。これらの素子半導体物性からセンシングシステムまで考慮し、数種類設計製作された。製作した素子の特性測定については、加重センサの保持、電気接続が困難で改良が重ねられた。他方温度センサは温度特性の測定が容易で研究の進行が早かった。それらの研究の成果は別紙一覧の如く発表されている。
本研究は、教えるために準備したスタッフのみならず、関係した電子技術者あるいは、高専学生を通して地域の研究開発の気運を高め、工業振興にも寄与した。

研究成果

• [文献書誌] 唐澤信司: 日本工業教育協会誌. 36. 44-45 (1988)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [文献書誌] 唐澤信司: みやぎ産業科学. 2. 13-16 (1988)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [文献書誌] 唐澤信司: 半導体、集積回路技術第34回シンポジウム講演論文集. 85-90 (1988)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [文献書誌] 唐澤信司、桑島健次、駆動治夫: 昭和63年度電気関係学会東北支部連合大会講演論文集. 226 (1988)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [文献書誌] 赤間朋子、桑島健次: 昭和63年度電子情報通信学会学生会研究発表会講演論文集. 19. 36 (1988)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [文献書誌] 唐澤信司: 1989年度電子情報通信学会春季全国大会講演論文集. (C)240 (1989)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [文献書誌] 唐澤信司: "pMOS ICの製作" 宮城工業高等専門学校電気工学科, 34 (1987)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [文献書誌] 唐澤信司、三浦、鈴木、川波、野角: "半導体センサの製作" 宮城工業高等専門学校電気工学科, 56 (1988)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [文献書誌] S.Karasawa: "Industrial Education in the days when Reseach Developments meet the need" Journal of Engineering Education in Japan. 36. 44-45 (1988)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [文献書誌] S.Karasawa: "Development of a weight sensor consists of Wedge Shaped Source-Drain MOS FET" Industrial Science in Miyagi. 2. 13-16 (1988)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [文献書誌] S.Karasawa: "The Wedge Shaped Source-Drain MOS FET" Proceedings of the 34 the Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology. 34. 85-90 (1988)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [文献書誌] S.Karasawa,K.Kuwajima,H.Kudou: "A Fabrication of pn Junction Used for a Temperature Sensor of Power Device in Sillicon Chip" 1988 Tohoku-Section Joint Convension Record of Institutes of Electrical and Information Engineer JAPAN. 226 (1988)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [文献書誌] S.Karasawa: "Effects on I-V Characteristics due to Localized High-Temperature in MOS FET" National Convention Record 1989 The Institate of Electronics,Information and Communication Engineers. 240 (1989)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [文献書誌] S.Karasawa,et al.: 1) Fabrications of p-MOS IC, 2) Fabrications of Semiconductor-Sensor. Miyagi National College of Technology, 34 56 (1) 1987 , 2) 1988)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より