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1989 年度 研究成果報告書概要

機能性薄膜の形成技術の開発と応用

研究課題

研究課題/領域番号 63302021
研究種目

総合研究(A)

配分区分補助金
研究分野 応用物性
研究機関名古屋大学

研究代表者

安田 幸夫  名古屋大学, 工学部, 教授 (60126951)

研究分担者 米津 宏雄  豊橋技術科学大学, 工学部, 教授 (90191668)
西永 頌  東京大学, 工学部, 教授 (10023128)
美浜 和弘  名古屋大学, 工学部, 教授 (50023007)
内山 晋  名古屋大学, 工学部, 教授 (40023022)
赤崎 勇  名古屋大学, 工学部, 教授 (20144115)
研究期間 (年度) 1988 – 1989
キーワード機能性薄膜 / 薄膜形成技術
研究概要

本研究の目的は、薄膜形成技術及び薄膜を応用した機能性材料を研究開発している第一線の研究者を集結し、相互の技術交流と学際的相互乗り入れを通して、新しい機能性薄膜の研究開発とその形成技術の開発を行うことである。2年間の研究を通して、現在注目されている種々の研究分野において、様々な機能を持つ薄膜が開発された。また、形成技術も多種多様であり、横断的連携によって、当初の目的を達成できたと考えられる。
具体的な研究成果の一端は、以下の通りである。
1.ガスソ-ス分子線エピタキシャル法が、本研究期間内に急激に発展し、良質でしかも精密制御された超薄膜の形成が可能になった。
2.励起プロセスの応用により、ダイヤモンド薄膜や有機材料ー金属の複合膜などの新しい機能を持った薄膜や通常の方法では形成できない薄膜の成長を可能にした。また、高温超伝動薄膜の形成温度の低温化も実現された。
3.原子層レベルの積層制御により,薄膜の物性から界面・表面で発現する物性の解明へと進展した。
4.ダイヤモンド薄膜の半導体としての応用、有機材料ー金属及び絶縁体ー半導体等の複合薄膜の物性など、機能性薄膜としての可能性を含んだ研究が発展した。
本研究により、材料分野及び技術分野と薄膜形成技術の結びつきを、マトリクスの形で把握することができた。これにより、薄膜形成技術の総合的かつ有効な活用を図ることが可能になるとともに,現在未知の分野として残っている領域をマトリクスの空白部分として明らかにすることができた。この空白部分は、新しい可能性を潜在させていると考えられ、今後の発展が期待される。

  • 研究成果

    (97件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (97件)

  • [文献書誌] S.Zaima,T.Furuta,M.Iida,and Y.Yasuda: "Prepalation and properties of Ta_2O_5 films by LPCVD for ULSI application" J.Electrochem.Soc.137. 1297-1300 (1990)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] Y.Yosuda,Y.Koide,S.Zaima,and N.Sano: "YーBaーCuーO superconducting thin films prepared by plasmaーassisted flash evaporation" Appl.Phys.Lett. 55. 307-309 (1989)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] Y.koide,N.Itoh,K.Itoh,N.Sawaki,and I.Akasaki: "Effect of AIN Buffer Layer on A1GaN/αAl_2O_3 Heteroepitaxial Growth by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy" Jpn.J.Appl.Phys.27. 1156-1161 (1988)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] I.Akasaki,H.Amano,Y.Koide,H.Hiramatsu,and N.Sawaki: "EFFECTS OF AIN BUFFER LAYER ON CRYSTALLOGRAPHIC STRUCTURE AND ON ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF GaN AND Ga_<1ーX>Al_XN(0<x≦0.4)" J.Crystal Growth. 98. 209-219 (1989)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] K.Noda,M.Nakatsugawa,Y.Ninomiya,and T.itoh: "Photoconduction of the aーSi:H/aーC:Hheterostructure" J.Appl.Phys.62. 3799-3802 (1987)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] 小泉聡、鈴木一博、犬塚直夫: "ダイヤモンド薄膜合成に関する最近の話題" 材料科学. 25. 271-276 (1989)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] K.Suzuki,A.Sawabe,H.Yasuda and T.Inuzuka: "Growth of diamond thin films by dc plasma chemical vapor deposition" Appl.Phys.Lett.50. 728-729 (1987)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] A.Sawabe,H.Yasuda,T.Inuzuka,and K.Suzuki: "GROWTH OF DIAMOND THIN FILMS IN A DCDISCHARGE PLASMA" Appl.Surf.Sci.33/34. 539-545 (1988)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] K.Suzuki,A.Sawabe,and T.Inuzuka: "Characterizations of the dc discharge plasma during chemical vapor deposition for diamond growth" Appl.Phys.Lett.53. 1818-1819 (1988)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] T.Ohmi,K.Matsudo,T.Shibata,T.Ichikawa,and H.Iwabuchi: "VeryーLowーTemperature Epitaxial Silicon Growth By LowーKineticーEnergy Particle Bombardment" Jpn.J.Appl.Phys.27. 2146-2148 (1988)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] T.Ohmi,T.Ichikawa,T.Shibata and H.Iwabuchi: "Crystal structure analysis of epitaxial silicon films formed by low kinetic energy particle process" Appl.Phys.Lett.54. 523-525 (1989)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] T.Ohmi,H.Iwabuchi,T.Shibata and T.Ichikawa: "Electrical characterization of epitaxial silicon films formed by a low kinetic energy particle process" Appl.Phys.Lett.54. 253-255 (1989)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] T.Ohmi,K.Hashimoto,M.Morita and T.Shibata: "In SituーDeped Epitaxial Silicon Film Growth at 250℃ By An UltraーClean LowーEnergy Bias Sputtering" 1989 IEDM Tech.Dig. 53-56 (1989)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] M.Mmorita,T.Ohmi,E.Hasegawa,M.Kawakami,and K.Suma: "NATIVE LAYERーFREE OXIDATION FOR VERY THIN GATE OXIDES" 1989 VLSI Tech.Symposium,Dig.Tech Papers. 75-76 (1989)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] T.Saito,T.Ohmi,T.Shibata,M.Otsuki,andT.Nitta: "Thermal Stability Studies on Copper Thin Films Formed by a LowーKineticーEnergy Particle Process" 21st Conf.Solid State Devices and Materials. 25-28 (1989)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] A.Kinbara and S.Bada: "Recent Trends of the Study of Sputtering Process" 1st KoreaーJapan Plasma Applied Science Symposium Seoul,May 2ー4. 1-7 (1989)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] A.Kinbara,S.Baba,A.Kikuchi,T.Kajiwara,and K.Watanabe: "ADHESION MEASUREMET OF THIN FILMS ON GLASS SUBSTRATES" Thin SolidFilms. 171. 93-98 (1989)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] S.Baba,N.Kurosaki,and A.Kinbara: "ISLAND STRUCTURE AND FRICTIONAL PROPERTIES OF SPUTTERED LEAD THIN FILMS" SinoーJananeseSymposium on Dro Processing for Functional Surface Modification. 74-79

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] T.Kanedo,H.Asahi,Y.Okuno,and S.Gonda: "MOMBE(METALORGANIC MOLECULAR BEAM EPITAXY)GROWTH OF InGaSb ON GaSb" J.Crystal Growth. 95. 158-162 (1989)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] T.Kaneko,H.Asahi,Y.Okuno,T.W.Kang,andS.Gonda: "Observations on RHEED intensity oscillations during the growth of GaSb and InAs by MOMBE" Second Intl.Conf.on Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Techniques(Including MOMBE,GSMBE and LPーMOVPE)MP2 Huston December. (1989)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] 金子忠昭、奥野泰利、朝日一、権田俊一: "InGaAlAsSb系のMOMBE成長" 応用物理学会、応用電子物性分科会研究報告. 428. 19-24 (1989)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] T.Tattori,K.Takase,H.Yamagishi,R.sugino,Y.Nara and T.Ito: "Chemical Structures of Native Oxides Formed during Wet Chemical Treatmants" Jpn.J.Appl.Phys.28. L296-L298 (1989)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] N.Miyata,K.Moriki,M.Fujisawa,M.hirayama,T.Matsukawa and T.Hattori: "Optical Absorption in Ultrathin Silicon Oxide Film" Jpn.J.Appl.Phys.28. L2072-L2074 (1989)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] 川原田洋、鈴木準一、馬京昇、平木昭夫: "磁場制御による低圧マイクロ波プラズマでのダイヤモンド合成" 応用物理. 57. 1912-1918 (1988)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] J.Suzuki,H.Kawarada,K.S.Mar J.Wei,Y.Yokota,and A.Hiraki: "The Synthesis of Diamond Films at Lower Pressure and Lower Temperature Using MagnetoーMicrowave PlasmaCVD" Jpn.J.Appl.Phys.28. L281-L283 (1989)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] J.Wei,H.Kawarada,J.Suzuki,K.yanagihara,K.Numata,and A.Hiraki: "EFFECTS OF PLASMA PARAMETER ON DIAMOND DEPOSITION AT LOWER PRESSURE USING MAGNETOーMICROWAVE PLASMA CVD" in Proc.of lst Int.Symp.on Diamond and DiamondーLike Film.Electrochen.Soc.393-403 (1989)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] H.Hawarada,K.Nichimura,T.Ito,J.Suzuki,K.S.Mar,Y.Yokota,and A.Hiraki: "Blue and Green Cathodoluminescence of Synthesized Diamond Films Formed by PlasmaーAssisted Chemical Vapour Deposition" Jap.J.Appl.Phys.27. L683-L686 (1988)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] H.Kawarada,Y.Yokota,Y.Mori,K.Nisimura,T.Ito,J.Suzuki,K.ーS.Mar,J.Wei,and A.Hiraki: "Cathodoluminescence of VapourーSynthesized Diamond" SPIE. 1055. 162-169 (1989)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] H.Kawarada,Y.Yokota,Y.Mori,K.Nishimura,and A.Hiraki: "Cathodoluminescence and electroluminescence of undoped and boronーdoped diamond formed by plasma chemical vapor deposition" J.Appl.Phys.67. (1990)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] H.Kawarada,J.S.Ma,T.Yonehara,and A.Hiraki: "SELECTIVE NUCLEATION BASED EPITAXY OF CVD DIAMOND AND ITS APPLICABILITY TO SEMICONDUCTING DEVICE" Mat.Res.Symp.Proc.(1990)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] T.Tanaka,K.Deguchi,S.Miyazaki,and M.Hirose: "Selective Growth of Polycrystalline Silicon by LaserーInduced Cryogenic CVD" Extended Abstracts of the 20th Conf.on Solid State Devices and Meterials. 61-64 (1988)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] T.Tanaka,K.Deguchi,S.Miyazaki,and A.Hirose: "Selective Growth of Polycrystalline Silicon by Laserーnduced Cryogenic CVD" Jpn.J.Appl.Phys. 27. L2149-L2151 (1988)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] T.Tanaka,T.Fukuda,Y.Nagasawa,S.Miyazaki,and M.Hirose: "Atomic Laser Growth of Silicon by Excimer Laser Induced Cryogenic CVD" Extended Abstracts of the 21th Conf.on Solid State Devices and Meterials. 53-56 (1989)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] T.Tanaka,T.Fukuda,Y.Nagasawa,S.Miyazaki,and M.Hirose: "ATOMIC LASER GROWTH MECHANISM OF SILICON BY EXCIMER LASER INDUCED CRYOGENIC CVD" Proc.of Dry Process Symposium. 103-107 (1989)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] K.Nakamura,T.Koyanagi,T.Yamamoto,and K.Matsubara: "Electroーoptical effects of Cd_<1-x>Mn_xTe films prepared by ionizedーcluster beamx" J.Appl.Phys.65. 1381-1383 (1989)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] T.Koyanagi,K.Yamamoto,T.Sota,K.Nakamura,and K.Matsubara: "Electric Field Effects on Faraday Rotation of Cd_<1-x>Mn_xTe Films Prepared by Ionized Cluster Beams" Jpn.J.Appl.Phys. 28. L669-L671 (1989)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] 山野浩司、曽田哲夫、小柳剛、中村公夫、松原覚衛: "クラスタ-・イオンビ-ム法にらるCd_<1-x>Mn_xTe薄膜のファラデ-回転に及ぼす電界効果" 日本応用磁気学会誌. 13. 175-178 (1989)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] 小柳剛、中村公夫、山野浩司、松原覚衛: "Cd_<1-x>Mn_xTe薄膜の励起子による磁気光学効果" 日本応用磁気学会誌. 12. 187-192 (1988)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] T.Koyanagi,N.Nakamura,K.Yamano,and K.Matssubara: "Faraday Effect Due to Excitions in Cd_<1-x>Mn_xTe Films" Tech.Rept.Yamaguchi Univ.4. 183-194 (1988)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] T.Koyanagi,K.Nakamura,K.Yamano,and K.Matsubara: "Faraday Effects Due to Excitons in Cd_<1-x>Mn_xTe Films" IEEE Trans.J.Magn.Jpn.4. 228-236 (1989)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] 小柳剛、山野浩司、曽田哲夫、松原覚衛: "Cd_<1-x>Mn_xTe薄膜の磁気光学効果の温度特性" 日本応用磁気学会誌. 13. 171-174 (1989)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] T.Koyanagi,H.Anno,T.Sota,K.Yamano,andK.Matsubara: "Preparation of Cd_<1-x>Mn_xTe MULTILAYERED FILMS ON GaAs PREPARED BY THE ICB TECHNIQUE" Proc.12th Symp.on Ion Sources and IonーAssisted Technology. 331-334 (1989)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] K.Mihama and N.Tanaka: "Nmーsized crystallited embedded in single erystalline films of magnesium oxide" Z.Phys.D. 12. 157-160 (1989)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] K.Kimoto,N.Tanaka,and K.Mihara: "Observations of Gold Atomic Clusters in Magnesium Oxide Films under OffーBragg Conditions" J.Elec.Microsc.38. 165-171 (1989)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] N.Tanaka,M.Nagao,F.Yoshizaki,and K.Mihara: "Structural Study of NanometerーSized Iron Crystallies in Single Crystalline IronーMgO Composite Films" J.Elec.Microsc.and Tech.12. 272-280 (1989)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] H.Yamada,M.Nakamura,T.Tashiro,S.Morita,and S.Hattori: "LINER CHAIN POLYMER FORMATION BY PLASMA POLYMERIZATION AND APPLICATION" Proc.9th Int.Sym.on Plasma Chem.Pugunochiuso(Italy)Sep.4ー8. 1116-1121 (1989)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] H.Oniyama,.Yamaga,A.Yoshikawa,and H.Kasai: "METALOGANIC MOLECULAR BEAM EPITAXY OF ZnSe FILMS USING DIMETHYLZINC AND HYDROGEN SELENIDE" J.Crystal Growth.93. 679-685 (1988)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] A.Yoshikawa,H.Oniyama,H.Yasuda,S.Yamaga,and H.Kasai: "GROWTH KINETICS IN MOMBE OF ZnSe USING DIMETHYLZINC AND HYDROGEN SELENIDE AS REACTANTS" J.Crystal Growth.94. 69-74 (1989)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] S.Zaima, T.Furuta, M.Iida, and Y.Yasuda: "Prepalation and properties of Ta_2O_5 films by LPCVD for ULSI application" J.Electrochem.Soc. 137. 1297-1300 ((1990))

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] Y.Yasuda, Y.Koide, S.Zaima, and N.Sano: "Y-Ba-Cu-O superconducting thin films prepared by plasma-assisted flash evaporation" Appl.Phys.Lett. 55 PP.307-309 (1989).

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] Y.Koide, N.Itoh, K.Itoh, N.Sawaki, and I.Akasaki: "Effect of AIN Buffer Layer on AlGaN/alpha-Al_2O_3 Heteroepitaxial Growth by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy" Jpn.J.Appl.Phys. 27 PP.1156-1161 (1988).

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] I.Akasaki, H.Amano, Y.Koide, K.Hiramatsu, and N.Sawaki: "EFFECTS OF AIN BUFFER LAYER ON CRYSTALLOGRAPHIC STRUCTURE AND ON ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF GaN AND Ga_<1-x>Al_xN (0<x <less than or equal>0.4)" J.Crystal Growth 98 PP.209-219 (1989).

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] K.Noda, M.Nakatsugawa, Y.Ninomiya, and T.Itoh: "Photoconduction of the a-Si:H/a-C:H heterostructure" J.Appl.Phys. 62 PP.3799-3802 (1987).

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] K.Suzuki, A.Sawabe, H.Yasuda, and T.Inuzuka: "Growth of diamond thin films by dc plasma chemical vapor deposition" Appl.Phys.Lett. 50 PP.728-729 (1987).

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] A.Sawabe, H.Yasuda, T.Inuzuka, and K.Suzuki: "GROWTH OF DIAMOND THIN FILMS IN A DC DISCHARGE PLASMA" Appl.Surf.Sci. 33/34 PP.539-545 (1988).

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] K.Suzuki, A.Sawabe, and T.Inuzuka: "Characterizations of the dc discharge plasma during chemical vapor deposition for diamond growth" Appl.Phys.Lett. 53 PP.1818-1819 (1988).

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] T.Ohmi, K.Matsudo, T.Shibata, T.Ichikawa, and H.Iwabuchi: "Very-Low-Temperature Epitaxial Silicon Growth By Low-Kinetic-Energy Particle Bombardment" Jpn.J.Appl.Phys. 27 PP.2146-2148 (1988).

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] T.Ohmi, T.Ichikawa, T.Shibata, and H.Iwabuchi: "Crystal structure analysis of epitaxial silicon films formed by a low kinetic energy particle process" Appl.Phys.Lett. 54 PP. 523-525 (1989).

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] T.Ohmi, H.Iwabuchi, T.Shibata, and T.Ichikawa: "Electrical characterization of epitaxial silicon films formed by a low kinetic energy particle process" Appl.Phys.Lett. 54 PP. 253-255 (1989).

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] T.Ohmi, K.Hashimoto, M.Morita, and T.Shibata: "In Situ-Deped Epitaxial Silicon Film Growth At 250 ゚C By An Ultra-Clean Low-Energy Bias Sputtering" 1989 IEDM Tech.Dig.PP.53-56 (1989).

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] M.Morita, T.Ohmi, E.Hasegawa, M.Kawakami, and K.Suma: "NATIVE LAYER-FREE OXIDATION FOR VERY THIN GATE OXIDES" 1989 VLSI Tech. Symposium, Dig.Tech. Pagers PP.75-76(1989).

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] T.Saito, T.Ohmi, T.Shibata, M.Otsuki, and T.Nitta: "Thermal Stability Studies on Copper Thin Films Formed by a Low-Kinetic-Energy Particle Process" 21st Conf.Solid State Devices and Materials PP.25-28 (1989).

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] A.Kinbara and S.Baba: "Recent Trends of the Study of Sputtering Process" 1st Korea-Japan Plasma Applied science Symposium Seoul, May 2-4 PP.1-7 (1989).

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] A.Kinbara, S.Baba, A.Kikuchi, T.Kajiwara, and K.Watanabe: "ADHESION MEASUREMENT OF THIN FILMS ON GLASS SUBSTRATES" Thin Solid Films 171 PP.93-98 (1989).

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] S.Baba, N.Kurosaki, and A.Kinbara: "ISLAND STRUCTURE AND FRICTIONAL PROPERTIES OF SPUTTERED LEAD THIN FILMS" Sino-Japanese Symposium on Dry Processing for Functional Surface Modification PP.74-79.

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] T.Kaneko, H.Asahi, Y.Okuno, and S.Gonda: "MOMBE (METALORGANIC MOLECULAR BEAM EPITAXY) GROWTH OF InGaSb ON GaSb" J.Crystal Growth 95 PP.158-162 (1989).

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] T.Kaneko, H.Asahi, Y.Okuno, T.W.Kang, and S.Gonda: "Observations on RHEED intensity oscillations during the growth of GaSb and InAs by MOMBE" Second Intl.Conf.on Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Techniques (Including MOMBE, GSMBE and LP -MOVPE) MP2 Houston December (1989).

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] T.Hattori, K.Takase, H.Yamagishi, R.Sugino, Y.Nara and T.Ito: "Chemical Structures of Native Oxides Formed during Wet Chemical Treatments" Jpn.J.Appl.Phys. 28 PP.L296-L298 (1989).

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] N.Miyata, K.Moriki, M.Fujisawa, M.hirayama, T.Matsukawa and T.Hattori: "Optical Absorption in Ultrathin Silicon Oxide Film" Jpn.J.Appl.Phys. 28 PP.L2072-2074 (1989).

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] J.Suzuki, H.Kawarada, K.S.Mar, J.Wei, Y.Yokota, and A.Hiraki: "The Synthesis of Diamond Films at Lower Pressure and Lower Temperature Using Magneto-Microwave Plasma CVD" Jpn.J.Appl.Phys. 28 PP.L281-L283 (1989).

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] J.Wei, H.Kawarada, J.Suzuki, K.Yanagihara, K.Numata, and A.Hiraki: "EFFECTS OF PLASMA PARAMETER ON DIAMOND DEPOSITION AT LOWER PRESSURE USING MAGNETO-MICROWAVE PLASMA CVD" in Proc.of 1st Int.Symp.on Diamond and Diamond-Like Film.Electrochem.Soc.PP.393-403 (1989).

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] H.Kawarada, K.Nishimura, T.Ito, J.Suzuki, K.S.Mar, Y.Yokota, and A.Hiraki: "Blue and Green Cathodoluminescence of Synthesized Diamond Films Formed by Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition" Jap.J.Appl.Phys.27 PP.L683-686 (1988).

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] H.Kawarada, Y.Yokota, Y.Mori, K.Nishimura, T.Ito, J.Suzuki, K. -S.Mar, J.Wei, and A.Hiraki: "Cathodoluminescence of Vapour-Synthesized Diamond" SPIE 1055 PP.162-169 (1989).

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] H.Kawarada, Y.Yokota, Y.Mori, K.Nishimura, and A.Hiraki: "Cathodoluminescence and electroluminescence of undoped and boron-doped diamond formed by plasma chemical vapor deposition" J.Appl.Phys. 67 (1990).

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] H.Kawarada, J.S.Ma, T.Yonehara, and A.Hiraki: "SELECTIVE NUCLEATION BASED EPITAXY OF CVD DIAMOND AND ITS APPLICABILITY TO SEMICONDUCTING DEVICE" Mat.Res.Symp.Proc.(1990).

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] T.Tanaka, K.Deguchi, S.Miyazaki, and M.Hirose: "Selective Growth of Polycrystalline Silicon by Laser -Induced Cryogenic CVD" Extended Abstracts of the 20th Conf.on Solid State Devices and Materials PP.61-64 (1988).

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] T.Tanaka, K.Deguchi, S.Miyazaki, and M.Hirose: "Selective Growth of Polycrystalline Silicon by Laser -Induced Cryogenic CVD" Jpn.J.Appl.Phys. 27 PP.L2149-2151 (1988).

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] T.Tanaka, T.Fukuda, Y.Nagasawa, S.Miyazaki, and M.Hirose: "Atomic Laser Growth of Silicon by Excimer Laser Induced Cryogenic CVD" Extended Abstracts of the 21th Conf.on Solid State Devices and Materials PP.53-56 (1989).

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] T.Tanaka, T.Fukuda, Y.Nagasawa, S.Miyazaki, and M.Hirose: "ATOMIC LASER GROWTH MECHANISM OF SILICON BY EXCIMER LASER INDUCED CRYOGENIC CVD" Proc.of Dry Process Symposium PP.103-107 (1989).

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] K.Nakamura, T.Koyanagi, K.Yamano, and K.Matsubara: "Electro-optical effects of Cd_<1-x>Mn_xTe films prepared by ionized-cluster beams" J.Appl.Phys.65 PP.1381-1383 (1989).

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] T.Koyanagi, K.Yamano, T.Sota, K.Nakamura, and K.Matsubara: "Electric Field Effects on Faraday Rotation of Cd_<1-x>Mn_xTe Films Prepared by Ionized Cluster Beams" Jpn.J.Appl.Phys. 28 PP.L669-L671 (1989).

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] T.Koyanagi, K.Nakamura, K.Yamano, and K.Matsubara: "Faraday Effect Due to Excitons in Cd_<1-x>Mn_xTe Films" Tech.Rept.Yamaguchi Univ. 4 PP.183-194 (1988).

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] T.Koyanagi, K.Nakamura, K.Yamano, and K.Matsubara: "Faraday Effects Due to Excitons in Cd_<1-x>Mn_xTe Films" IEEE Trans.J.Magn.Jpn. 4 PP.228-236 (1989).

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] T.Koyanagi, H.Anno, T.Sota, K.Yamano, and K.Matsubara: "PREPARATION OF Cd_<1-x>Mn_xTe MULTILAYERED FILMS ON GaAs PREPARED BY THE ICB TECHNIQUE" Proc.12th Symp.on Ion Sources and Ion Assisted Technology PP.331-334 (1989).

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] K.Mihama and N.Tanaka: "Nm-sized crystallites embedded in single crystalline films of magnesium oxide" Z.Phys.D 12 PP.157-160 (1989).

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] K.Kimoto, N.Tnaka, and K.Mihama: "Observations of Gold Atomic Clusters in Magnesium Oxide Films under Off- Bragg Conditions" J.Elec.Microsc. 38 PP.165-171 (1989).

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] N.Tanaka, M.Nagao, F.Yoshizaki, and K.Mihama: "Structural Study of Nanometer-Sized Iron Crystallites in Single Crystalline Iron-MgO Composite Films" J.Elec.Microsc.and Tech. 12 PP.272-280 (1989).

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] H.Yamada, M.Nakamura, T.Tashiro, S.Morita, and S.Hattori: "LINEAR CHAIN POLYMER FORMATION BY PLASMA POLYMERIZATION AND APPLICATION" Proc.9th Int.Sym.on Plasma Chem.Pugunochiuso(Italy)Sen 4-8 (1989) PP.1116-1121.

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] H.Oniyama, Yamaga, A.Yoshikawa, and H.Kasai: "METALORGANIC MOLECULAR BEAM EPITAXY OF ZnSe FILMS USING DIMETHYLZINC AND HYDROGEN SELENIDE" J.Crystal Growth.93 PP.679-685 (1988).

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] A.Yoshikawa, H.Oniyama, H.Yasuda, S.Yamaga, and H.Kasai: "GROWTH KINETICS IN MOMBE OF ZnSe USING DIMETHYLZINC AND HYDROGEN SELENIDE AS REACTANTS" J.Crystal Growth.94 PP.69-74 (1989).

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] A.Yoshikawa, H.Oniyama, S.Yamaga, and H.Kasai: "A STUDY OF GROWTH MECHANISM OF ZnS AND ZnSe IN MOMBE USING DIMETHYLZINC AND CHALCOGEN HYDRIDES AS REACTANTS" J.Crystal Growth.95 PP.572-579 (1989).

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] A.Yoshikawa, H.Okamoto, H.Yasuda, S.Yamaga, and H.Kasai: "'MBE-LIKE' AND 'CVD-LIKE' ATOMIC LAYER EPITAXY OF ZnSe IN MOMBE SYSTEM" J.Crystal Growth (1989).

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] H.Oniyama, S.Yamaga, and A.Yoshikawa: "Growth of Lattice-Metched ZnSe-ZnS Superlattices onto GaAs Substrates by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy" Jpn.J.Appl.Phys.28 PP.L2137-L2140 (1989).

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] M.Tsuji, Y.Takano, T.Torihata, Y.Kanaya, K.Pak, and H.Yonezu: "MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH OF HIGH QUALITY GaAs LAYER DIRECTLY ON GaP SUBSTRATE" J.Crystal Growth95 PP.405-409 (1989).

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] Y.Iimura, K.Nagata, Y.Aoyagi, and S.Namba: "SURFACE SEGREGATION OF INDIUM DURING GROWTH OF InGaAs IN CHEMICAL BEAM EPITAXY" J.Crystal Growth.

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] S.Iwai, T.Meguro, A.Doi, Y.Aoyagi, and S.Namba: "MONOLAYER GROWTH AND DIRECT WRITING OF GaAs BY PULSED LASER METALORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY" Thin Solid Films, 163 PP.405-408 (1988).

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] T.Meguro, S.Iwai, Y.Aoyagi, K.Ozaki, Y.Yamamoto, T.Suzuki, Y.Okano, and A.Hirata: "ATOMIC LAYER EPITAXY OF AlAs and AlGaAs" J.Crystal Growth.

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より

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公開日: 1993-03-26  

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