| 研究概要 |
本研究の目的は,シンクロトロン放射の持つ,高輝度,光子エネルギ-可変性,偏光などの特長を利用した光電子分光スペクトル,イオン収量スペクトル,光吸収スペクトルの測定,解析によって,現在未開拓のマイクロクラスタ-,表面吸着分子などの超微細な物質系の電子構造を解明することである。
研究最終年度にあたる本年度は,従来よりも高輝度なシンクロトロン放射光源といわれているアンジュレ-タ放射を利用して,シリコン表面上に吸着した分子,マイクロクラスタ-の光電子分光,光刺激脱離実験を行うことを計画した。また,四重極質量分析器では測定のむづかしい質量数の大きいマイクロクラスタ-の質量分析実験を行うために,飛行時間型質量分析器も準備することとした。
このうち,シリコン表面上に吸着した物質系については,高エネルギ-物理学研究所に設置されている表面界面光電子分光実験装置による予備実験により,吸着物質の電子状態が従来よりも格段にすぐれた精度で測定できることが確認された。これについては平成3年4月の日本物理学会年会で一部を報告する。一方,アンジュレ-タ放射の利用については,既に製作した質量分析装置をフォトンファクトリ-BLー19Aのリボルバ-型アンジュレ-タビ-ムラインに接続し,アンジュレ-タ放射による性能試験と予備実験を行った。その結果,アンジュレ-タ放射が偏向磁石からのシンクロトロン放射にくらべ約300倍の真空紫外光量があり,本研究が目的としている物質系の電子構造の解明にはアンジュレ-タ放射が不可欠であることがわかった。アンジュレ-タ放射に関する結果は,昨年10月米国スタンフォ-ド大学でのワ-クショップで報告した。
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