| 研究課題/領域番号 |
63420050
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
井上 信幸 東京大学, 工学部, 教授 (60023719)
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| 研究分担者 |
遠山 濶志 東京大学, 理学部, 助教授 (50023718)
宮本 健郎 東京大学, 理学部, 教授 (60023701)
森川 惇二 東京大学, 工学部, 教務職員 (70192375)
二瓶 仁 東京大学, 工学部, 助手 (70010973)
吉田 善章 東京大学, 工学部, 助教授 (80182765)
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| キーワード | ULQ / プラズマ / 核融合 / プラズマ閉じ込め / 異常抵抗 |
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| 研究概要 |
超低q(ULQ)プラズマの閉じ込め特性に閉する基礎実験を行ない、高トロイダル磁場化によってプラズマ閉じ込めが改善されることを実証した。実験は昭和63年度に本研究貴補助金によって設計・製作した、トロイダル電流系プラズマ実験装置REPUTEー1Qを用いて行なった。本装置は、高トロイダル磁塲(最大0.7T)、高プラズマ電流密度(最大3MA/m^2)を特徴とし、高トロイダル磁場下での低q放電によってULQプラズマの高性能閉じ込めを目指した設計となっている。本年度は本計画の最終年度に当り、当初の目的プラズマパラメ-タを実証するとともに、そのプラズマ加熱・閉じ込めの原理を明らかにして、今後の当分野での研究発展の方向付けを行なった。先ず高トロイダル磁場化によってプラズマの実効電気抵抗が小さくなる事を示した。ULQプラズマでの実効電気抵抗はプラズマ境界近傍のエネルギ-閉じ込め特性を反影することが示されており、抵抗値が小さくなることは閉じ込めの改善を示す。旧来REPUTEー1に於いて得られていた、ULQプラズマの最小抵抗値約6μΩmを約半分の3μΩmまで改善し、世界的に最小値を更新した。又プラズマの密度ー電流パラメ-タ特性を示すHugi11ダイヤグラム上で空白となっていた低密度、低q領域のプラズマを生成し、旧来のULQが占めた高密度、低q領域、一般のトカマクが占める低密度、高q領域に対して、新たなパラメ-タ領域でのプラズマ特性を研究したことになる。これによってトロイダル電流系に閉して、広パラメ-タ領域で一般的・基礎的なプラズマの挙動を研究しようとする本研究の目的は果たされ、且つULQとして最も高い閉じ込め性能を達成することができた。
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