| 研究課題/領域番号 |
63460016
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| 研究種目 |
一般研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
核・宇宙線・素粒子
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| 研究機関 | 広島大学 |
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研究代表者 |
大杉 節 広島大学, 理学部, 助教授 (30033898)
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| 研究分担者 |
阪口 篤志 広島大学, 理学部, 助手 (70205730)
千葉 保男 広島大学, 理学部, 助手 (10106792)
近藤 敬比古 高エネルギー物理学研究所, 教授 (30150006)
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| 研究期間 (年度) |
1988 – 1989
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| キーワード | 中性子損傷 / 半導体の放射線損傷 / 半導体検出器 / シリコン半導体検出器 / シリコン半導体の中性子損傷 / 放射線損傷 |
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| 研究概要 |
今年度は半導体放射検出器の中性子損傷の最初の実験の結果をふまえて2回の実験を行った。その実験の目的は主として損傷の中性子線エネルギ-依存性、および室温でのアニ-リング効果の測定である。また、前回の実験結果とも合わせて、損傷の瞬間強度依存性も求めた。放射線損傷の中性子線エネルギ-依存性は、原子炉中性子のエネルギ-スペクトルと高エネルギ-陽子線によるエバポレ-ション中性子のエネルギ-スペクトルの違いを利用した。原子炉中性子の速中性子は1MeV付近にピ-クを持ち、それ以上では急速に少なくなるエネルギ-スペクトルを持つ。それに対して高エネルギ-物理学研究の12GeV陽子を二次粒子成生用銅タ-ゲットに照射した場合、そのタ-ゲットの後方に期待される中性子エネルギ-スペクトルはエネルギ-が大きくなるにつれて指数関数的に減少する。しかし、平均エネルギ-は原子炉の中性子に比べて2〜3倍大きい。中性子損傷係数を暗電流の増加係数で表わすとエバポレ-ション中性子損傷係数は原子炉の速中性子に比べて3〜4倍損傷が大きいことがわかった。室温アニ-リングについては原子炉中性子照射一時間後から約300日にわたって測定し、80日後には照射直後の暗電流の60%になり、その後はほぼ一定で変わらないという結果を得た。80日間の暗電流減少時定数は、160日であった。損傷の瞬間強度依存性については10^9Mcm^<-2>s^<-1>から10^<13>Mcm^<-2>s^<-1>の強度で損傷係数の大きな変化は認められなかった。これらの結果を整理し、公表した。
また、中性子損傷研究の進展に従ってγ線損傷の重要性も考え、γ線による放射線損傷の予備実験を行った。その結果、非常に重要な現象を観測した。
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