| 研究課題/領域番号 |
63460031
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| 研究種目 |
一般研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
固体物性
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
邑瀬 和生 大阪大学, 理学部, 教授 (50028164)
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| 研究分担者 |
石田 修 東京理科大学, 山口短期大学, 教授 (70127182)
蒲生 健次 大阪大学, 基礎工学部, 教授 (70029445)
鷹岡 貞夫 大阪大学, 理学部, 助教授 (50135654)
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| 研究期間 (年度) |
1988 – 1989
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| キーワード | メゾスコピック / 超伝導 / バリステック伝導 / アハラノフ・ボ-ム効果 / アンダ-ソン局在 / シュブニコフ・ド・ハ-ス効果 / 極微細線、リング / GaAs@AlGaAsヘテロ構造 |
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| 研究概要 |
^3He冷却クライオスタット(最低温度0.4K)とそれに接続したコンパクトな超伝導磁石(最大磁場8.5T)を製作し、極低温、強磁場下でのメゾスコピック系の量子伝導の研究を行い、その結果以下の研究成果を得た。
(1)GaAs/GaAlAsヘテロ構造の極微細線(実効線幅170nm)において一次元サブバンドの磁場によるdepopulation効果を観測した。
(2)十字状の微小な試料で、電気伝導の非局所性のため、磁場に対する非対称的な伝導度のゆらぎを観測した。
(3)試料の大きさが電子の弾性散乱長と同程度になる、バリステック伝導領域での極微細線で電流経路を曲げたことによる、4端子負抵抗、非局所的電圧のゆらぎ、ゼロ磁場付近でのオ-バ-シュ-ト効果による抵抗の増加を観測した。
(4)上記の負抵抗および強磁下でのシュブニコフ・ド・ハ-ス振動を電圧端子と電流端子を分離した非局所的配置で測定し、その信号の端子間の距離による減衰定数を測定した。その結果、負抵抗の減衰定数はほぼ電子の弾性散乱長と一致するが、シュプニコフ振動の減衰定数は電子の弾性散乱長よりかなり大きく、しかも磁場を強くしていくほど短くなることを見出した。
(5)半金属Sb薄膜のアンダ-ソン局在を観測した。
(6)半金属Biの極微細線における、抵抗の磁場によるゆらぎを研究し、電極間隔が電子の非弾性散乱長より短くなるこ、伝導率のゆらぎの大きさが、距離の逆2乗で発散すること見出した。
(7)超伝導になるとわれわれが予想していた、金属一半導体化合物であるPtSiがTc=0.68Kで超伝導になることを確認した。
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