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1988 年度 実績報告書

直流電場中でのII-IV族半導体結晶の成長とその評価

研究課題

研究課題/領域番号 63550019
研究機関長崎大学

研究代表者

岩永 浩  長崎大学, 教養部, 教授 (40039772)

研究分担者 望月 勝美  東北大学, 工学部, 助教授 (30089792)
富塚 明  長崎大学, 教養部, 助手 (70164027)
柴田 昇  長崎大学, 教養部, 教授 (40039756)
キーワードCdS / CdTe / CuCl / 電場 / 極性 / モルフォロジー
研究概要

1.直流電場中で成長したCdS結晶の極性
直径40mmの石英管の外側に円筒状電極を巻き、石英管の中にはCdS粉末を入れたアルミナボートを置き、その上に中心電極として直径0.3mmの白金線を張る。円筒状電極は常にアースし、中心電極線に正、負の与えた雰囲気内で結晶成長を行った。CdSの粉末の温度を950℃に保ち、昇華したCdS蒸気をArガスの流れによって成長域に導くと、中心電極線上にCdS結晶が成長する。HCl腐食液を用いたエッチングにより、中心電極線に正電圧(+1KV)をかけたときは-C成長のCdS結晶が成長し、負電圧(-1KV)のときは+C成長の結晶が成長した。この外、アルミナボート壁には双晶ウィスカーが成長した。透過電顕で観察した結果、(101^^ー1)、(2241)(123^^ー1)を接合面にもつ三つのタイプの双晶結晶が得られた。
2.電場中で成長するCuCl結晶の極性
CuCl結晶を昇華法により電場なしで成長させた場合には〔112〕方向に成長した樹枝状結晶が成長したが、CdSの場合と同じ方法で、電場中で成長させた場合には〔100〕方向に成長した樹枝状結晶が得られた。
3.電場中で成長したCdTe結晶のモルフォロジーと極性
CdTe粉末を昇華させ、電場中でCdTe結晶を成長させた。その結果、リーフ状の樹枝状結晶が成長し、その結晶のモルフォロジーはSEMを用いて詳しく観察し、リーフ状結晶の表面は極性面{111}で構成されていたので、E・Ag-1と呼ばれる腐食液によりエッチングした結果、(1^^ー1^^ー1^^ー)Bであった。
4.購入したCCDカメラを用いて、成長実験の直接観察を行った。
CdSとCdTeの結晶成長の直接観察をCCDカメラを用いて行った。

  • 研究成果

    (5件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (5件)

  • [文献書誌] A.Tomizuka.;H.Iwanaga.;N.Shibata.: J.Crystal Growth. 91. 123-127 (1988)

  • [文献書誌] M.Fujii.;H.Iwanaga.;N.Shibata.: J.Crystal Growth. 91. 229-233 (1988)

  • [文献書誌] H.Iwanaga.;N.Shibata.;S.Takeuchi.: J.Materials Science Letters.

  • [文献書誌] H.Iwanaga.;A.Tomizuka.;N.Shibata.: J.Crystal Growth.

  • [文献書誌] H.Iwanaga.;A.Tomizuka.;N.Shibata.: J.Crystal Growth.

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公開日: 1990-03-20   更新日: 2016-04-21  

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