| 研究課題/領域番号 |
63550023
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| 研究機関 | 東京工科大学 |
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研究代表者 |
三田 陽 東京工科大学, 工学部, 教授 (20200040)
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| 研究分担者 |
塩谷 繁雄 東京工科大学, 工学部, 教授 (20013451)
大旗 淳 東京工科大学, 工学部, 教授 (20038376)
前田 甫 東京工科大学, 工学部, 教授 (60063632)
丸山 亨 東京工科大学, 工学部, 教授 (90192351)
石橋 新一郎 東京工科大学, 工学部, 助教授 (50016424)
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| キーワード | 化合物半導体 / 光学的性質 / III-V族化合物半導体 / II-VI族化合物半導体 / 固有欠陥 |
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| 研究概要 |
昭和63年度においては、半絶縁性GaAs結晶の深い準位に関する光物性的研究を中心に研究活動を推進し、特に低温でのブリーチング関連特性の解明と今後の欠陥空間的分布測定の準備に注力した。これと併せてMBE成長ZnSe結晶の光物性的評価、希土類活性化蛍光体およびレーザ材料に関する調査と計算機シミュレーションによる予備的検討に着手した。
GaAs結晶に固有な欠陥(通常EL2と呼ばれる)の性状、特に空間的不均一性の解明のため、パソコン(PC9801F3)を中心とする自動計測制御システムの開発を行った。この目的のため画像測定処理装置(Siビジコン・スーパーフレーム2とアナログCRTを周辺機器として使用)の製作を行い、従来から行っている分光・温度特性の自動測定と合わせて、結晶内吸収の2次元的分布の測定を可能ならしめた。本期間中においては、低温で光照射しブリーチングを行った結晶の吸収帯の温度による回復特性、特に波長依存性について実験的検討を行ない、吸収端付近におけるコントラスト逆転特性などについて研究を行った。これまでに得られた結果の一部は昭和63年秋応用物理学会において報告した。現在C言語とRAMディスクを利用して測定を高速化し、画像処理技術の採用によって微細でしかも照射ムラによって影響を受けやすい不均一性について詳細な知見を得、これによって未だ不明の点の多い欠陥の成因と性状についてさらに解明を進める方針である。
これと並行し引き続いて、MBE成長のZnSe結晶のPL特性の測定など光物性的性質について検討を行ったほか有用な新規性ある超格子構造について提言を行った。
さらに希土類元素含有蛍光体およびレーザ材料(特に中赤外波長域に発光を有するもの)の特性について定量的計算を行うとともに予備的な測定結果を得、これら蛍光体の特定ガス検出装置への応用可能性を検討した。
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