| 研究課題/領域番号 |
63550220
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| 研究機関 | 慶応義塾大学 |
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研究代表者 |
真壁 利明 慶応義塾大学, 理工学部物理学科, 助教授 (60095651)
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| 研究分担者 |
玉河 元 慶応義塾大学, 理工学部物理学科, 教授 (90022970)
諸隈 之彦 慶応義塾大学, 商学部, 助手 (60051611)
山下 久直 慶応義塾大学, 理工学部電気工学科, 助教授 (00051839)
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| キーワード | 低周波プラズマ / 反応性プラズマ / CH_4 / H_2プラズマ / 時間、空間分解発光分析 / RFプラズマのモデリング / デポジション / 炭素薄膜 / 低周波放電構造 |
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| 研究概要 |
炭素系薄膜生成用、H_2+CH_4低周波プラズマを診断し、理論的に解析するシミュレーション技法を開発した。具体的には、
1).外部注入低周波電力が放電内の「どこで」、「いつ」、「どのような機構で」、「どの程度」消費されるかを先に開発した時間、空間分解発光分析装置で診断し、データのパワースペクトル等から主に電子輸送を把握した。本結果はCH_4の混合比に強く依存することが明らかとなり、特に、CH_4(1%)/H_2、0.7Torr、100KHzの結果は極性反転に伴いRF電極近傍に特異な発光が生ずることを示した。結果の総合的検討から、イオンや励起分子の発生、輸送特性を把握し低周波放電プラズマの動的輸送形態を実験的に明らかとした(参考文献Kokubo＆Makabe et al,J.Phys.D22.in press)。
2).低周波放電のシミュレーション技法を開発し、本年度は純CH_4放電について予備的結果を得た。特に、低周波放電に内在する非線形電子輸送の形態をボルツマン方程式から詳細に解析し、1)の実測を合理的に解釈出来た。
3).1)と2)の考察からイオンエネルギーの最適利用に関する指針を得た(自己バイアス電圧の制御)。この方針で、比較的硬度の高いカーボン薄膜を低温で生成出来た。 以上。
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