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基板回転型グロー放電アモルファス超格子作製装置の回転の自動化および科研で入手したターボ分子ポンプを使用した高真空化を行ない装置の改良を行なった。その構造と電子的性質について調べており、界面の改良のため(a)真空にさらす時間の制御、(b)水素放電にさらす時間の制御を行い、調べているところである。
また障壁層を作る際の基板温度が低いとき、障壁層が酸化されることがわかり、その改良も行なっている。
さらに井戸層の厚みのゆらぎがアモルファス半導体超格子に与える影響についてもX線と光学的性質によって調べ、各層での反射にもとづく多重反射が大きく電子的性質に影響することが明かになってきた。
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