1.昨年度の設備・備品費で完成された改良型真空蒸着装置は、本年度も順調に稼動している。この装置の保守や、他の関連実験に必要な消耗品を、本年度の補助金より購入した。 2.平面状の基盤を用いる研究としては、おもに銅の高指数面基盤上に鉄を蒸着させる研究を、昨年度より継続して行った。基盤が高指数面になると、それとBain対応で結ばれ界面を形成すべき候補となる蒸着金属の結晶面の数が増すが、詳細な透過電子顕微鏡観察によって、確かに1つの基盤上に複数のエピタキシャル関係をもつ蒸着結晶が生成されていることを見出した。 3.球面状の基盤を用いる研究としては、銅の[001]方向を長手方向とした電界イオン顕微鏡(FIM)用針状試料の上に、FIM装置内に組み込んだ改良型の真空蒸着装置によって、鉄を蒸着させた。この試料の球面状の先端部をFIM観察し、蒸着鉄の形態やエピタキシャル関係を調べた。その結果、鉄薄膜は銅基盤とKurdjumov-Sachsの方位関係をもつ4つの領域よりなり、この4つの領域が[001]極のまわりに半球面のほぼ1/4ずつをしめて存在していることがわかった。 4.以上の結果をまとめ、本研究で観察されたいくつかの新しいエピタキシャル関係が何によって決まっているのかを考察した。平面状および球面状の基盤を用いた研究の結果を合せて考えると、エピタキシャル関係を決めている因子として (1)基盤結晶と蒸着結晶との間のBain対応 (2)2つの結晶の界面での対応性(不変線をもつ条件) (3)ミスフィット歪を小さくする効果 が考えられ、これらの因子によって実験結果が合理的に説明できることがわかった。
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