| 研究課題/領域番号 |
63604509
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| 研究機関 | 茨城大学 |
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研究代表者 |
村野井 徹夫 茨城大学, 工学部, 講師 (90007633)
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| 研究分担者 |
古越 光雄 茨城大学, 工学部, 教授 (90007584)
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| キーワード | セレン化亜鉛 / 伝導形変換 / エピタキシャル成長 / 不純物ドープ / フォトルミネッセンス / 開管法 / 閉管法 / 輸送速度 |
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| 研究概要 |
1.開管法:(1)前年度、ZnとSeを原料とした水素輸送法により、PをドープしたZnSeをGaAS基板上に気相成長させて、P形が得られることを報告した。その後の実験により、P形を得るためにはPのほかにLiが必要であることが判明した。P形ZnSeは予めLiをP用の石英ボートに含ませておくか、Seに数%混合させ、Zn過剰の状態で基板温度が450〜500℃のときに得られた。PまたはLiを単独にドープするときは高抵抗率であった。(2)ダブルドープ条件を検討するために、Pのみをドープした膜を作成し、それにLiを拡散させる実験を行なった。Pのみをドープした場合、Tp=150〜330℃に対して、Tp=240℃以下でエピ成長をした。PLはTp=150℃でもバンド端発光がアンドープ膜の場合と異なっており、低温のTpでもかなりのPがドープされている。この膜にLiを拡散した場合は実験中である。2.閉管法:(1)前年度に引き続きZnSeの輸送速度の封入ガス圧依存性を調べた。本年度はAr(10^<-3>〜50Torr)とH_2(10^<-3>〜3Torr)による違いを調べた。Arの場合、0.5Torr以下ではほぼ一定の輸送速度であり、0.5〜50TorrではAr圧の-0.5剰で減少するのに対し、H_2の場合、-0.2剰(0.02〜1Torr)と-1剰(1〜3Torr)で減少する。輸送の機構の詳細については不明であるが、H_2の場合、ZnSeとの反応が関係していると考えられる。(2)気相成長で育成したバルクのZnSe単結晶にPを拡散させた(515℃)。PLにおいて500nm付近に新たな発光が観測された。このピークはZn雰囲気、Se雰囲気および真空中の熱処理によっては観測されない。3.今後の計画:(1)開管法;P-Liのダブルドープの最適条件を検討しPn接合を形成する。青色発光ダイオードについて検討する。(2)閉管法:封入ガス圧に対して育成単結晶の特性を評価する。アクセプタ不純物のドープ条件について実験検討する。
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