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準周期的ポテンシャル中の電子がどのような状態にあり、それが周期的あるいは不規則的な場合とどう異るかは興味深い問題であり、理論的に精力的な研究が行われている。しかし実験的研究は未だ殆ど行われていないのが現状である。本課題ではこの問題を実験的に研究する事を目的としている。実験手段は、いわゆるHEMT構造のAlGaAs/GaAsヘテロ界面に生じる高易動度2次元電子系に微細な準周期的ゲート電極を設け、その影響を極低温での電気伝導をプローブとして調べる。
MBE法によって作られたHEMT試料にフォトリソグラフィー法により電極をはじめとした構造を作り、さらに電子線リングラフィー法とリフトオフ法によりサブミクロン寸法のゲート電極をつける。化合物半導体やヘテロ構造をとり扱うのは初めてであるので、本年度はこれらの微細加工を含む試料作成技術の習得に費やされた。来年度には、作成した試料を用いて測定を行う予定である。また、ゲート電極構造の影響をはっきり調べるためには、より微細な加工法を探究することも必要であると考えている。
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