| 研究課題/領域番号 |
63850007
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
竹田 美和 京都大学, 工学部, 講師 (20111932)
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| 研究分担者 |
大柳 宏之 電子技術総合研究所, 電子基礎部・主任, 研究員
八百 隆文 電子技術総合研究所, 電子基礎部, 室長
松下 正 高エネルギー物理学研究所, 放射光実験施設, 教授 (40092332)
佐々木 昭夫 京都大学, 工学部, 教授 (10025900)
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| キーワード | 超格子 / 混晶半導体 / 原子尺度 / ミクロ構造 / 解析法 / EXAFS |
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| 研究概要 |
1.原子層エピタキシアル成長装置反応部の設計・製作を行った。原子層厚で半導体結晶の成長を制御するため、従来の成長反応部とは全く概念の異なる構造と成長層切り替え方法を考案し、設計・製作することができた。
2.現有の液相エピタキシアル成長装置により、希釈混晶の成長、および研究分担者により超格子、規則相を持つ混晶半導体の作製を行い、本測定法の試料として供することができた。
3.半導体検出器を従来の一台から、受光面を多重に持つ検出器とすることにより、検出のための立体角を大幅に増加し、X線収量の増加および検出限界の拡大が可能となった。
4.GaAsを基板とするGaInP混晶半導体中の規則相と禁制常幅の関係を、蛍光EXAFS法を用いたGaを中心とする結合長の成長温度依存性の測定により、初めて明らかにした。基板GaAs中のGaからのX線が、GaInP層中のGaからのX線に重複しないことが実験上本質的に重要で、これをX線の全反射モード測定により可能にした。
5.試料冷却装置の冷却シュラウドおよび試料保持装置の設計により、本測定法の低温測定に供することが可能となった。
6.本測定法をInP上の均一相GaAsSbに適用し、この系では、他の混晶系と異なり、組成によってその結合長が、元の二元化合物と全く変わらないことを初めて明らかにした。
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