| 研究実績の概要 |
本研究課題では、ケイ素やゲルマニウムなどの高周期１４族元素や、リンなどの高周期１５族元素のπ結合をｄーπ電子系に組み込んだ新規なｄーπ電子系の創製を目指す。
本年度は、まずπ電子系としてゲルマニウム間三重結合、ジゲルミンに注目し、そのπ結合としての性質および開環重合の条件を見出す目的で、基本的性質を明らかとすることとした。
まず、ゲルマニウム間三重結合を安定な化合物として合成・単離した上で検討を行うこととし、そのための立体保護基としてBbt基（2,6-bis(bis(trimethylsilyl)methyl)-4-tris(trimethylsilyl)methyl-phenyl）およびTbb基（4-t-butyl-2,6-bis(bistrimethylsilylmethyl)phenyl）を用いることとした。それぞれの置換基を有するジゲルミンを既知法に倣って合成し、それに対しまずエチレンおよびトランを反応させた。その結果、それぞれ1,2-ジゲルマシクロブテンおよび1,2-ジゲルマシクロブタジエン誘導体が得られた。これらは Ｇｅ＝Ｇｅ部位を四員環内に含む化合物であり、目的とする[2]フェロセノファン誘導体のモデルとも言える化合物群である。
得られたこれらの化合物に対し、エチレンやアセチレンを反応させたところ、室温でもゆっくりとそのGe=Ge結合が開裂していることが示唆された。
またその他スペクトル測定やＸ線結晶構造解析などの結果から、Ge=Ge結合は比較的弱い結合で、光や熱で容易に開裂することが示唆された。
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