公募研究
本年度は、昨年度に進めたデバイス構造の作製法についてさらなる検討を加えるとともに、作製したデバイスの電子物性計測を行った。昨年度は、（１）分子性結晶への六方晶窒化ホウ素(hBN)の転写、および（２）hBNへの分子の蒸着、の異なる二通りの方法を用いてhBN/分子性結晶の清浄な界面の作製を検討したが、(1)では清浄な界面を形成することが困難であることが明らかになったため、本年度は(2)の方法についてのみ継続して検討を行った。hBNの転写方法、デバイスの作成方法に種々の検討を加えた結果、厚さが2～3nmの数層hBN超薄膜を用いてC60/hBNの積層デバイスの作製に成功した。このデバイスにイオン液体を滴下し、hBN超薄膜でC60チャンネルを保護した電気二重層トランジスタ構造を作製した。このhBN保護電気二重層トランジスタでは、4 V程度のゲート電圧を加えてもC60が溶出せずに安定に存在しており、hBNの緻密な構造による拡散バリア層という当初のコンセプトを実証することに成功した（ゲート電圧印加前後での顕微鏡観察および分光分析の結果が全く変わらなかった）。また、この構造を用いてイオンゲートによるC60チャネルへのキャリア注入とトランジスタ動作を確認することにも成功した。ただし、3 nmとhBNが厚いためキャリア注入量が少なかったことが問題である。今後は、単層hBNをバリア層としたデバイスへの展開を行っていきたい。
29年度が最終年度であるため、記入しない。
すべて 2018
すべて 雑誌論文 (1件) (うち国際共著 1件、 査読あり 1件)
ACS Nano
巻: 12 ページ: 2498-2505
10.1021/acsnano.7b08253
