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2018 年度 実績報告書

界面を利用したアシンメトリー二次元ナノ結晶の創製と電子移動制御

公募研究

研究領域配位アシンメトリー:非対称配位圏設計と異方集積化が拓く新物質科学
研究課題/領域番号 17H05348
研究機関国立研究開発法人日本原子力研究開発機構

研究代表者

保田 諭  国立研究開発法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門 原子力科学研究所 先端基礎研究センター, 研究副主幹 (90400639)

研究期間 (年度) 2017-04-01 – 2019-03-31
キーワード遷移金属ジカルコゲナイト / グラフェン / 水素 / プロトン
研究実績の概要

本研究では、遷移金属ジカルコゲナイド(TMDC)やグラフェンといった二次元結晶を化学気相蒸着法(CVD)により作製し、様々な異種表面との相互作用によって構造が歪んだ非対称二次元結晶を開発する。得られた非対称結晶の電気化学的特徴を精査し、水素発生・水素貯蔵電極材料といった機能性エネルギー変換材料を創製する知見を得る。
平成29年度は、金単結晶金属表面にTMDCであるMoS2やMoSe2をそれぞれCVD合成する技術を確立し、金属表面形状がTMDCの歪み誘起に影響を与えること、歪み誘起により電子状態が半導体的から金属性の物性に変調することを明らかにした。平成30年度はこの知見を基にし、電子物性が変調されたTMDCの電気化学水素発生能について評価を行った。その結果、電子物性が変調されたTMDC/金単結晶電極の水素発生過電圧は、変調されていないTMDC/Au多結晶電極のそれよりも正電位側にシフトすることを見出し、非対称結晶化によって発現する電子状態変調によって水素発生反応の高活性化が可能であることを明らかにした。
また、グラフェンを金単結晶表面に作製する技術を確立、圧縮歪みをもつグラフェンが形成していること、水素発生反応が起きる電位において圧縮歪みが一部、解消されることを明らかにした。このような特徴とグラフェンのもつ選択的プロトン透過能を考慮した結果、水素発生反応下においてグラフェンを透過したプロトンが金表面上で水素に還元、グラフェンの水素分子に対する不透過能によって歪みが緩和したグラフェンとAu界面に水素ガスが貯蔵されることを見出した。
以上、様々な二次元結晶を金属表面上に作製し構造歪みをもつ非対称二次元結晶を作製することで、電子状態変調やエネルギーキャリアの貯蔵が可能であることを明らかにし、二次元結晶を用いた新しいエネルギー変換材料創製の基礎的知見を得た。

現在までの達成度 (段落)

平成30年度が最終年度であるため、記入しない。

今後の研究の推進方策

平成30年度が最終年度であるため、記入しない。

  • 研究成果

    (11件)

すべて 2019 2018

すべて 雑誌論文 (5件) (うち査読あり 5件、 オープンアクセス 3件) 学会発表 (6件) (うち国際学会 1件)

  • [雑誌論文] Enhancement of Fe-N-C carbon catalyst activity for the oxygen reduction reaction: effective increment of active sites by a short and repeated heating process2018

    • 著者名/発表者名
      Yasuda Satoshi, Uchibori Yosuke, Wakeshima Makoto, Hinatsu Yukio, Ogawa Hiroaki, Yano Masahiro, Asaoka Hidehito
    • 雑誌名

      RSC Advances

      巻: 8 ページ: 37600~37605

    • DOI

      10.1039/C8RA08359B

    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Sensitive Raman Probe of Electronic Interactions between Monolayer Graphene and Substrate under Electrochemical Potential Control2018

    • 著者名/発表者名
      Zhou Ruifeng, Yasuda Satoshi, Minamimoto Hiro, Murakoshi Kei
    • 雑誌名

      ACS Omega

      巻: 3 ページ: 2322~2328

    • DOI

      10.1021/acsomega.7b01928

    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Advantage of semi-ionic bonding in fluorine-doped carbon materials for the oxygen evolution reaction in alkaline media2018

    • 著者名/発表者名
      Kim Jeheon, Zhou Ruifeng, Murakoshi Kei, Yasuda Satoshi
    • 雑誌名

      RSC Advances

      巻: 8 ページ: 14152~14156

    • DOI

      10.1039/C8RA01636D

    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Uniform Si nano-dot fabrication using reconstructed structure of Si(110)2018

    • 著者名/発表者名
      Yano Masahiro, Uozumi Yuki, Yasuda Satoshi, Asaoka Hidehito
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 57 ページ: 06HD04~06HD04

    • DOI

      10.7567/JJAP.57.06HD04

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Characterization of SiO2 reduction reaction region at void periphery on Si(110)2018

    • 著者名/発表者名
      Yano Masahiro, Uozumi Yuki, Yasuda Satoshi, Tsukada Chie, Yoshida Hikaru, Yoshigoe Akitaka, Asaoka Hidehito
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 57 ページ: 08NB13~08NB13

    • DOI

      10.7567/JJAP.57.08NB13

    • 査読あり
  • [学会発表] 単層グラフェンのプロトン透過能と電気化学的手法を利用したグラフェン-金属界面への水素ナノバブル形成2019

    • 著者名/発表者名
      保田 諭, 田村和久, 矢野雅大, 寺澤知潮, 加藤 優, 八木一三, 朝岡秀人
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
  • [学会発表] グラフェン-金属界面で形成されるナノバブルの水素同位体効果2019

    • 著者名/発表者名
      保田 諭, 田村和久, 矢野雅大, 寺澤知潮, 上利龍史, 高橋康史, 加藤 優, 八木一三, 朝岡秀人
    • 学会等名
      2018年電気化学会第86回大会
  • [学会発表] 水溶液中における単層グラフェンへの電気化学ドーピング評価2018

    • 著者名/発表者名
      保田 諭, 田村和久, 矢野雅大, 寺澤知潮, 朝岡秀人, 丹野 駿, 佐藤祐輔, 加藤 優, 八木一三
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
  • [学会発表] 単層グラフェンへの電気化学ドーピングとその電気化学的挙動の評価2018

    • 著者名/発表者名
      保田 諭, 田村和久, 朝岡秀人, 丹野 駿, 佐藤祐輔, 加藤 優, 八木一三
    • 学会等名
      2018年電気化学秋季大会
  • [学会発表] Hydrogen Nano Balloon Formation at Graphene-Metal Interface by Electrochemical Hydrogen Evolution Reaction2018

    • 著者名/発表者名
      S. Yasuda, K. Tamura, S. T. Terasawa, M. Yano, S. Tanno, Y. M. Kato, I. Yagi, H. Asaoka
    • 学会等名
      ACSIN-14&ICSPM26
    • 国際学会
  • [学会発表] 電気化学的手法によるグラフェン-金属界面への水素ナノバブル形成2018

    • 著者名/発表者名
      S. Yasuda, K. Tamura, T. Terasawa, M. Yano, S. Tanno, M. Kato, I. Yagi, H. Asaoka
    • 学会等名
      2018年 日本表面真空学会学術講演会

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公開日: 2019-12-27  

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