|
本研究は、太陽光スペクトルの近赤外域まで利用可能とする光触媒材料、及びシステムの構築を目指して光電変換材料として研究開発されてきた鉄シリサイド（β-FeSi2 ）半導体と炭化シリコン（SiC）、及び酸化チタン（TiO2） 等のワイドギャップ半導体とが導電層を介して接合した半導体複合粒子を気相成長技術にて創製することを目的とする。
この半導体複合粒子の創製には、n型のワイドギャップ半導体粉末表面にβ-FeSi2の微細結晶が分散して形成されることが必要となる。本研究では粒径が数μmの Si、SiC、TiO2粉末表面に、金（Au）‐シリコン（Si）系共晶反応による融液を用いることで気相－液相－固相（VLS）成長機構により10 - 300nmのβ-FeSi2微細結晶が分散した複合粒子を合成した。
さらにこの半導体複合粒子に白金（Pt）、及び酸化コバルト（CoOx）助触媒ナノ粒子担持方法の検討を行い、犠牲剤を用いずにUV光（高圧水銀ランプ）、及び擬似太陽光（キセノンランプ）照射下での光触媒効果による水分解による水素（H2）、酸素（O2）の発生が確認された。
|
