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本研究では，従来の薄膜成長で常識であった「欠陥や表面凹凸のない高品質基板を用いる」という概念の打破に挑戦する．すなわち，基板表面近傍に存在するボイド（特異構造）を用いた内部応力緩和により，異種基板上への高品質結晶成長技術を実現することを最終目標とし，Si基板上の窒化物半導体成長で解析・実証する．
2020年度は，低温Al原料先行供給を用いた，ボイドあり表面凹凸SiC/Si基板上の表面平坦・単一配向のGaN連続層（試料A）の有効性を検証した．高温Al原料先行供給を用いた，ボイドなし表面平坦SiC/Si基板上のGaN層（試料B）と比較したところ，表面平坦性・結晶性ともに試料Bより良好であった．試料Bでは観察されなかったGaN層表面の原子ステップが試料Aでは明瞭に観察されており，転位密度も1桁低かった．以上より，濡れ性・付着確率が低く，凹凸が大きなSiC薄膜上に，良好なGaN成長が可能であることが実証された．
一方，ボイドによる内部応力緩和の影響を評価し，ボイドのサイズや密度などを設計するため，汎用解析ソフトを用いて有限要素法シミュレーションを行った．準備として，Si基板・SiC薄膜・GaN層を同時に精度よく計算するための最適なメッシュを構築した．また，結晶構造・面方位を考慮して，弾性定数などの物性値を設定した．Si基板内およびGaN層内にボイドを設定して計算したところ，GaN層内のボイドの方が応力緩和の影響が大きいことが分かった．また，ボイド近傍で面内方向の応力が大幅に緩和されること，ボイドの形成する応力場の広がりはボイドサイズの数倍程度であること，ボイドの形成する応力場どうしの重ね合わせで緩和されることが分かった．設計したボイドを実現するための成長技術についても検討した．
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