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強磁性体と強いスピン軌道相互作用を持つ非磁性体からなるエピタキシャル酸化物界面ではジャロシンスキー-守谷（DM）相互作用に由来するスキルミオン相が得られる。薄膜・界面作製技術を駆使した物質開発によりスキルミオンを単位とする量子液晶の具現化を目指し、非磁性体として5d電子系Ir酸化物を用いることで以下の成果を得た。
(1) エピタキシャルSrIrO3薄膜上にスパッタ法により強磁性金属CoFeBを積層し、フォトリソグラフィにより長さ30μm、幅10μmのホールバーを形成した。界面における電流-スピン流変換に起因するスピン軌道トルクを高調波ホール効果により測定し、dampinglike・fieldlike成分の二つに分けて評価した。強磁性体の磁化反転に重要となるdampinglike成分からSrIrO3が参照試料のPtと比較して3倍程度大きい電流-スピン流変換効率を持つことを明らかにした。CoFeBの膜厚依存性がないことから、得られた信号は非磁性体SrIrO3の特性を反映していることが確認できた。
(2) IrO2と強磁性金属Ni81Fe19との積層順序がスピン流物性に与える影響をスピン軌道トルクにより評価した。効率的な電流-スピン流変換に由来する大きなdampinglikeスピン軌道トルクが観測され、非磁性体IrO2を下側に積層した試料が上側に積層した試料より大きいスピン軌道トルクを生成することが明らかとなった。IrO2と強磁性体との界面におけるスピン輸送特性が積層順序に強く影響していることが明らかとなり、5d酸化物のスピン軌道トルクを用いたデバイスの設計指針が得られた。
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