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2020 年度 実績報告書

イオン界面を基盤とした新奇デバイスの創生

公募研究

研究領域蓄電固体デバイスの創成に向けた界面イオンダイナミクスの科学
研究課題/領域番号 20H05304
研究機関一般財団法人電力中央研究所

研究代表者

小野 新平  一般財団法人電力中央研究所, 材料科学研究所, 上席研究員 (30371298)

研究期間 (年度) 2020-04-01 – 2022-03-31
キーワード電気二重層エレクトレット / 電気二重層トランジスタ
研究実績の概要

今年度は、申請者が考案した新規蓄電固体材料である電気二重層エレクトレット(=材料の界面に異符号イオンを永久電荷として固定したポリマーフィルム)を利用して、材料に電気二重層エレクトレットを貼り付けるだけで接合した材料の界面の電子状態を大幅に変化させる手法を開拓に挑戦した。蓄電固体界面の作り出す超強電界を利用して、さまざまな材料の新機能の創発を目指した。
1)電気二重層ダイオードの作製 電気二重層エレクトレットを作製する際に、イオン液体を選ぶことで、正イオン、もしくは負イオンのみ固定することができる。今回は、正イオンのみを固定した電気二重層エレクトレットを使い、負イオンの動きを積極的に利用することで、半導体材料の界面の電子状態の制御を行った。その結果、通常3端子必要である電気二重層を利用した電界効果トランジスタが、イオンを固定することで、2端子で駆動することができるようになった。また、この方法を使うと、電界効果により半導体素子でダイオード特性を出すことができ、新しいエレクトロニクスの可能性を示した。
2)電気二重層を利用した磁性制御の研究 磁性材料であるCoFe2O4の上にPt薄膜を蒸着したところ、磁気近接効果によりPtに磁気モーメントが誘起された。このCoFe2O4/Pt薄膜を利用して、イオン液体を利用した電界効果を行ったところ、Ptの電子状態を制御することでPtに誘起された磁気モーメントが変調できることが明らかになった。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

今年度は、電気二重層エレクトレットを利用したデバイスに関して、フランスと共同で特許出願を行った。研究は順調に進捗している。

今後の研究の推進方策

電気二重層エレクトレットを利用した新規デバイスの開発だけでなく、電気二重層エレクトレットそのものを分析し、電気二重層の構造、形成メカニズムを明らかにすることにも挑戦していきたい。放射光、原子間力顕微鏡を利用した電気二重層エレクトレット表面の状態評価、理論計算による実験のバックアップにより、電気二重層の構造を明らかにする。

  • 研究成果

    (7件)

すべて 2020 その他

すべて 国際共同研究 (2件) 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件) 学会発表 (1件) (うち国際学会 1件、 招待講演 1件) 産業財産権 (3件) (うち外国 2件)

  • [国際共同研究] CNRS/Grenoble Alps University/Paris-sacley University(フランス)

    • 国名
      フランス
    • 外国機関名
      CNRS/Grenoble Alps University/Paris-sacley University
  • [国際共同研究] Purdue大学(米国)

    • 国名
      米国
    • 外国機関名
      Purdue大学
  • [雑誌論文] Controlling the magnetic proximity effect and anomalous Hall effect in CoFe2O4/Pt by ionic gating2020

    • 著者名/発表者名
      Nodo Shoto、Ono Shimpei、Yanase Takashi、Shimada Toshihiro、Nagahama Taro
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 13 ページ: 063004~063004

    • DOI

      10.35848/1882-0786/ab92f1

    • 査読あり
  • [学会発表] Novel Application of Electric Double Layer Electrets2020

    • 著者名/発表者名
      Shimpei Ono
    • 学会等名
      2020 Joint Conference of the Condensed Matter Divisions of EPS and RSEF
    • 国際学会 / 招待講演
  • [産業財産権] Ionic element, method of manufacturing the same functional device, and electronic apparatus2020

    • 発明者名
      Shimpei Ono, Benjamin Sacepe
    • 権利者名
      Shimpei Ono, Benjamin Sacepe
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      PCT/IB2021/050709
    • 外国
  • [産業財産権] Ionic element, method of manufacturing the same functional device, and electronic apparatus2020

    • 発明者名
      Shimpei Ono, Benjamin Sacepe
    • 権利者名
      Shimpei Ono, Benjamin Sacepe
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      B28747FR
    • 外国
  • [産業財産権] イオン性素子およびその製造方法、機能性デバイスならびに電子機器2020

    • 発明者名
      小野新平, Benjamin Sacepe
    • 権利者名
      小野新平, Benjamin Sacepe
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      特願2020-179329

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公開日: 2021-12-27  

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