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2010 年度 実績報告書

InGaNベース強磁性半導体による長波長円偏光半導体レ-ザ創製に関する研究

公募研究

研究領域窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-
研究課題/領域番号 21016004
研究機関大阪大学

研究代表者

朝日 一  大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (90192947)

研究分担者 長谷川 繁彦  大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (50189528)
江村 修一  大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (90127192)
周 逸凱  大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (60346179)
キーワード窒化物半導体 / スピンエレクトロニクス / 光物性 / 結晶工学 / MBE
研究概要

長波長での円偏光半導体レーザを創製することを狙いとして、希土類金属Gdを添加したIII族窒化物希薄磁性半導体を分子線エピタキシ(MBE)法により成長し、その光学特性及び磁気特性を測定し、更にデバイス作製に向けて磁性制御に関して研究を行い、次の結果を得た。
(1)In濃度35%のInGaGdNが成長可能となり、InGaGdNからのフォトルミネセンス(PL)ピーク波長はIn組成の増加に対応した長波長シフトが観測された。PLの温度変化はInGaNと同様であった。室温で強磁性特性が観測された。
(2)Gd濃度6%のInGaGdNの飽和磁化はGd濃度1%のInGaGdNと比べ倍程度に増加することが分かった。ただし、Gd濃度を大きくし過ぎるとGaN等の析出が起こり、低下した。
(3)InGaGdNにSiを共添加すると、キャリア(電子)濃度が増加すると共に、磁化の増加が観測、された。キャリア誘起強磁性と理解される。
(4)InGaGdN/GaN多重量子井戸(MQW)構造を成長した。この構造では、同じ厚さのInGaGdN単層膜より磁化が増大することが分かった。InGaGdN/GaN MQW構造のGaN層にSiを添加した場合には更に磁化が増加することが確認された。いずれもバンドギャップの大きいGaN中のキャリアがInGaGdN層に流れ込むことによるキャリア誘起強磁性と理解される。
(5)InGaGdN/GaN MQW活性層をSiドープn形GaN、Mgドープp形GaNクラッド層で挟んだスピンLED構造を成長し、MQW活性層からのPL発光を観測した。

  • 研究成果

    (10件)

すべて 2011 2010 その他

すべて 雑誌論文 (6件) (うち査読あり 6件) 学会発表 (3件) 備考 (1件)

  • [雑誌論文] Influence of Si-doping on the characteristics of InGaGdN/GaN MQWs, grown by MBE2011

    • 著者名/発表者名
      S.N.M.Tawil, D.Krishnamurthy, M.Ishimaru, S.Emura, S.Hasegawa, H.Asahi
    • 雑誌名

      Phys.Status Solidi (c)

      巻: 8 ページ: 491-493

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Studies on the InGaGdN/GaN magnetic semiconductor heterostructures grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      S.N.M.Tawil, D.Krishnamurthy, R.Kakimi, S.Emura, S.Hasegawa, H.Asahi
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth

      巻: (印刷中)

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Structural characterization of MBE grown InGaGdN/GaN and InGaN/GaGdN superlattice structures2011

    • 著者名/発表者名
      D.Krishnamurthy, S.N.M.Tawil, M.Ishimaru, S.Emura, Y.K.Zhou, S.Hasegawa, H.Asahi
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol.

      巻: (印刷中)

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Amealing effect in GaDyN on optical and magnetic properties2010

    • 著者名/発表者名
      Y.K Zhou, M.Takahashi, S.Emura, S.Hasegawa, H.Asahi
    • 雑誌名

      Journal of Superconductivity and Novel Magnetism

      巻: 23 ページ: 103-105

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Structural and magnetic properties of GaGdN/GaN superlattice structures2010

    • 著者名/発表者名
      Y.K.Zhou, S.W.Choi, S.Kimura, S.Emura, S.Hasegawa, H.Asahi
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 518 ページ: 5659-5661

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Characterization of InGaGdN layers prepared by molecular beam epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      S.N.M.Tawil, R.Kakimi, D.Krishnamurthy, M.Ishimaru, S.Emura, H.Tambo, S.Hasegawa, H.Asahi
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol.Rap.Res.Lett.

      巻: 4 ページ: 308-310

    • 査読あり
  • [学会発表] Crowth and characterization of transition-metal and rare-earth doped III-nitride semiconductors for spintronics2010

    • 著者名/発表者名
      H.Asahi, S.Hasegawa, Y.K.Zhou, S.Emura
    • 学会等名
      2010 MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      ボストン(米国)(招待講演)
    • 年月日
      2010-11-30
  • [学会発表] Studies on the InGaGdN/GaN magnetic semiconductor heterostructures grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      S.N.M.Tawil, D.Krishnamurthy, R.Kakimi, S.Emura, S.Hasegawa, H.Asahi
    • 学会等名
      16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
    • 発表場所
      ベルリン(ドイツ)
    • 年月日
      2010-08-25
  • [学会発表] Influence of Si-doping on the Characteristics of InGaGdN/GaN MQWs Grown by MBE2010

    • 著者名/発表者名
      S.N.M.Tawil, D.Krishnamurthy, R.Kakimi, M.Ishimaru, S.Emura, S.Hasegawa, H.Asahi
    • 学会等名
      37th International Symposium on Compound Semiconductor
    • 発表場所
      高松シンボルタワー(高松)
    • 年月日
      2010-06-01
  • [備考]

    • URL

      http://www.sanken.osaka-u.ac.jp/labs/pem/

URL: 

公開日: 2012-07-19  

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