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まず電荷秩序を示す分子性導体において、スピンと電荷の自由度の絡み合いを明らかにするために、バーテックス補正をとりいれたダイアグラム計算を行った。その結果、電荷秩序近傍で電荷揺らぎが増大するとともにスピン磁化率が増大することを明らかにした。これは反強磁性転移近傍でスピン揺らぎが増大するときに、一様スピン帯磁率が抑制されることと対照的である。この結果はθ型ET塩をはじめとしたいくつかの分子性導体やバナジウム酸化物などの帯磁率の振る舞いをよく説明すると考えられる。この結果は原著論文として本年度出版された。さらに空間的電荷不均一に大きく関わると考えられる、フラストレーションのある相分離についても研究を進めた。負の圧縮率が出現する条件やその物理的起源について研究をすすめた。特に負の圧縮率はクーロン相互作用の異方性に大きく影響を受けることを示した。また負の圧縮率によって引き起こされると期待される電荷不均一状態について、これまでのギンツブルク-ランダウ理論を出発点とした理論研究を踏まえながら、不均一状態への遷移などについて考察を進めた。この研究は現在原著論文にまとめている段階である。同時に長距離クーロン相互作用の重要性を明らかにするために、交換プロセスによる電荷不均一化の可能性も議論し、非常に強いクーロン相互作用のもとでは交換プロセスだけによってフェルミ面が不安定になり、電荷密度波が生じ得ることを示した。
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