研究実績の概要 |
ストレスは精神疾患の引き金となることがあるため、脳に備わっているストレスに対する抵抗性・防御機構を理解することが重要である。これまで、ストレス抵抗性のメカニズムに関して分子・細胞・神経回路レベルの各階層で多くの研究がなされてきた。本研究では、レム睡眠に注目し、各階層を超えた構成的な理解を目指している。我々はこれまでに、ストレス負荷の期間中およびその後に我々が同定したレム睡眠制御細胞を人為的に操作することで、ストレス負荷がもたらす行動表現型に有意な影響が生じることを発見した(Yasugaki et al., unpublished)。本年度、どのタイミングでのレム睡眠制御細胞の操作が重要かを検討した。レム睡眠制御細胞の操作には、化学遺伝学的なツールであるDREADD法を用いた。アデノ随伴ウイルスベクターを用いてレム睡眠制御細胞に特異的に発現させて、様々な期間でCNOを投与した。その結果、ストレス負荷を与えたマウスに対するレム睡眠制御細胞の活動操作が行動に影響するための有効な期間が明らかとなった。また、ストレス負荷を与えられたマウスに対して、レム睡眠操作が作用するメカニズムを明らかにするための端緒として、ストレス負荷を付与したマウスと対照マウスとで、脳の各部位での活動が異なるかについても網羅的な解析を進めた。そのために、神経興奮のマーカーであるcFosの発現解析を行い、それぞれの群間でcFosの発現パターンが異なる脳部位を探した。その結果、いくつかの脳部位に有意な差が見出された。これらの脳部位は、今後、レム睡眠制御細胞の操作がストレス抵抗性に与えた影響を解明する上で、注目すべき候補脳領域であると期待される。
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