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本年度は１）すなわちAg(111)表面上のエピタキシャル成長条件で得られるsiliceneの構造のバラエティ、および（２）得られたsiliceneの構造とその電子状態の相関を明らかにすべく研究を行った。
（１）に関しては、２段階成長したAg(111)薄膜上に270℃でSiを蒸着した表面をSTMによって観察し、この表面には様々なオーダーを持ったドメインがパッチワークのように寄せ集まっていることを明らかにした。具体的にAg(111)1x1格子上のsilicene格子は、その格子を下地のAgに対して回転させることによってAg(111)1x1格子にほぼ整合する形で成長し、このとき取りえる回転角に応じて、Ag(111)格子に対してsilicene格子は4x4(θ=0°)、√21x√21（θ=10.9°）、√13x√13（θ=13.9°）、√7x√7（θ=19.1°）、2√3x2√3（θ=30°）の超周期構造が現れることが明らかになった。
また（２）については、様々なローカルオーダーを持ったドメインを持つsilicene表面上で、empty stateの電子状態密度の空間分布をSTMを用いたdI/dV像によって観測し、上記の超周期構造では、基板との整合関係による電子状態のモアレ構造が現れること、さらに高温で成長した際に得られる√3x√3周期をもったsiliceneでは、Dirac電子系の直線的な分散関係が実現されることを見出した。
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