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本研究目的は、面内に超格子構造を有する原子層材料を領域内で多角的に研究することで、新しい基礎知見を共有し、新しいアプリケーションへ展開することである。昨年度は、これまで報告例のなかったReS2粉末からリチウムインターカレーションによる化学剥離により、ReS2ナノシートの作製に成功し、従来の半導体ナノシートにはない特性を有していることが明らかとなった。
本年度は、化学気相蒸着法にてMoxW(1-x)S2の単層材料の作製に取り組んだ。炉内の温度雰囲気や流量、原料粉末を調整することで、効率的にMoxW(1-x)S2単層試料をガラス基板上に作製することに成功した。作製した単層材料は、xの比率を制御することができ、これによってPhotoluminescence強度のピーク位置を610から650nmまで可変することできた。
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