公募研究
本研究の目的は、化学気相成長法を用いた遷移金属ダイカルコゲナイド（MoS2, MoSe2, WSe2）原子層膜成膜技術とイオンゲルトランジスタ作製技術を組み合わせた機能性原子層膜素子の作製であり、具体的な研究項目と成果を以下にあげる。① 化学気相成長法を用いた遷移金属ダイカルコゲナイド原子層膜成膜技術の確立：合成装置を作製し、多層膜の合成には成功している。現在、大面積単層膜合成に向けて、条件の最適化を進めている。② 単一原子層膜を用いたイオンゲルトランジスタおよび論理回路の作製：MoS2, MoSe2, WS2,WSe2単層膜を用いたトランジスタ作製に成功した。また、抵抗インバーター（gain ~ 13）や両極性トランジスタを用いたインバーター（gain ~ 80）作製に成功した。③ 複数種類の原子層膜を用いた論理回路の作製：MoS2（N型）とWSe2（両極性）を組み合わせたインバーター（gain ~ 110）作製に成功した。以上のように、合成条件の最適化を除いた当初の目標を初年度半年間で達成することができた。
26年度が最終年度であるため、記入しない。
すべて 2014
すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (9件) (うち招待講演 4件)
Physical Chemistry Chemical Physics
巻: 16 ページ: 14996-15006
10.1039/C3CP55270E
ACS Nano
巻: 8 ページ: 8582-8590
10.1021/nn503287m
