公募研究
本年度は、単分子スイッチの開発を中心に単分子接合の新規物性探索を行った。単分子スイッチに関する研究では、複数の金属と分子の接合ポイントを有する分子(QT分子)を用いて実験を行った。単分子接合は分子溶液内において、STMを用いてAu探針をAu電極に接触、破断することで金属ナノギャップを作製し、作製したギャップに分子をトラップさせることで作製した。QT単分子接合は高伝導度、中伝導度、低伝導度と3つの異なる伝導度を示すことが明らかとなった。そして、破断過程における接合の伝導度変化から、高伝導度、中伝導度、低伝導度の順に、単分子接合における金属電極間距離が増大していることも分かった。平均電極間距離はQT分子内の4つの異なるSの原子間距離に対応しており、3つの異なる伝導度を示す単分子接合の構造が明らかとなった。理論計算を組み合わせることで、さらに詳細な吸着構造が明らかとなった。続いて、機械的に電極間距離を変化させ、接合の伝導度を計測した。その結果、電極間距離を変えることで、単分子接合の伝導度が高伝導度、中伝導度、低伝導度と3つの間を可逆的にスイッチ出来ることが明らかになった。以上、機械的な摂動で動作する多段階の抵抗単分子スイッチの作製に今年度は成功した。
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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