| Project/Area Number |
19360152
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
ITO Takashi Tohoku University, 大学院・工学研究科, 教授 (20374952)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
KOTANI Koji 東北大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (20250699)
KUROKI Shin-ichiro 東北大学, 大学院・工学研究科, 助教 (70400281)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥12,220,000 (Direct Cost: ¥9,400,000、Indirect Cost: ¥2,820,000)
Fiscal Year 2008: ¥5,720,000 (Direct Cost: ¥4,400,000、Indirect Cost: ¥1,320,000)
Fiscal Year 2007: ¥6,500,000 (Direct Cost: ¥5,000,000、Indirect Cost: ¥1,500,000)
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| Keywords | 電子デバイス / Siナノワイヤー / 結晶配向制御 / 結晶粒 / TFT |
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| Research Abstract |
石英基板に堆積した非晶質Si膜の界面をSiO_2膜で規制した3次元配向制御結晶化を提案した。SiO_2膜の側壁と基板面で規制して結晶化させたSi膜を用いた薄膜トランジスタ(TFT)により, 電子移動度を従来構造TFTと比較して42%向上させることに成功した。さらに, SiO_2カバー膜を用い上面と基板面で規制し, CWレーザで結晶成長方向を〈110〉とした結晶配向制御結晶化により,(100)優先配向, 表面平坦性の改善およびバルクSiに匹敵するSiTFTの実効電子移動度を実現し, 本提案の有用性を実証した。
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