Creation of a multi-dimensional and scale singularity structure in crystals and understanding of its mechanism

2020 Fiscal Year Annual Research Report

• Project Area: Materials Science and Advanced Elecronics created by singularity
• Project/Area Number: 16H06416
• Research Institution: Meijo University
• Principal Investigator: 上山 智 名城大学, 理工学部, 教授 (10340291)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 竹内 哲也 名城大学, 理工学部, 教授 (10583817) ; 岩谷 素顕 名城大学, 理工学部, 教授 (40367735) ; 本田 善央 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 准教授 (60362274)
• Project Period (FY): 2016-06-30 – 2021-03-31
• Keywords: GaN / ナノワイヤ / 量子殻 / 半導体レーザー / 結晶成長

Outline of Annual Research Achievements

本研究課題では，本研究グループがこれまで開拓を行ってきた窒化物半導体によるマルチスケール特異構造の作製機構を理解し学問的に発展させ、さらには新機能デ バイスの創出を目指す。現在、窒化物系量子殻・ナノワイヤ結晶の作製と成長機構の理解、サブナノスケールのポーラスSiC結晶の作製と不純物レベル間の光物性評価、X線その場観 察を利用したヘテロ接合形成時の界面特異構造の形成機構解明等、多次元かつマルチスケールの特異構造の作製と その形成メカニズ ムの解明、また光物性制御に関する研究を推進した。
窒化物系量子殻・ナノワイヤ結晶の作製と成長機構解明が昨年度までにほぼ完成の域に達したので、2020年度は量子殻の光学特性向上や、半導体発光デバイスへの応用に関して注力した。2019年度にはAlGaN下地殻の挿入による光学特性の改善を報告したが、2020年度はGaInN量子井戸とGaNバリアの成長温度シーケンスの最適化、また昇温時のGaInN量子井戸の熱分解を抑制するための、AlGaNスペーサ挿入により、さらなる光学特性の向上を実現した。一方、デバイス応用のために、p-GaN埋め込み型とトンネル接合経由のn-GaN埋め込み型の２種類の積層構造による電流注入の検討を行った。前者は成長が容易でp-GaN中のアクセプタの活性化も問題なくできるが、電気抵抗が高いため動作電圧上昇、電流が上部に偏る、さらにはレーザーの導波路を形成した際の光伝搬損失増大などの課題がある。他方、n-GaN埋め込み型は、低電気抵抗、均一な電流注入、低光損失など利点を持つが、p-GaN上にn-GaNを成長すると水素の脱出経路が遮断されるため、p-GaN中のアクセプタの活性化が困難という課題もある。2020年度は前者、すなわちp-GaN埋め込み型において、青色量子殻レーザーを作製し、室温パルス発振が達成できたことが最大の成果である。

Research Progress Status

令和2年度が最終年度であるため、記入しない。

Strategy for Future Research Activity

令和2年度が最終年度であるため、記入しない。

Research Products

• [Int'l Joint Research] Hanyan University(韓国)
  • Country Name: KOREA (REP. OF KOREA)
  • Counterpart Institution: Hanyan University
• [Journal Article] n-type GaN surface etched green light-emitting diode to reduce non-radiative recombination centers (2021)
  • Author(s): DP. Han, R. Fujiki, R. Takahashi, Y. Ueshima, S. Ueda, W. Lu, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
  • Journal Title: Applied Physics Letters Volume: 118 Pages: 021102
  • DOI: 10.1063/5.0035343
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Characterizations of GaN nanowires and GaInN/GaN multi-quantum shells grown by MOVPE (2020)
  • Author(s): N. Goto, W. Lu, H. Murakami, M. Terazawa, J. Uzuhashi, T. Ohkubo, K. Hono, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, I. Akasaki
  • Journal Title: Japanese Journal of Applied Physics Volume: 59 Pages: SGGE05
  • DOI: 10.35848/1347-4065/ab70aa
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] GaN-based vertical cavity surface emitting lasers with lateral optical confinements and conducting distributed Bragg reflectors (2020)
  • Author(s): R. Iida, Y. Ueshima, W. Muranaga, S. Iwayama, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
  • Journal Title: Japanese Journal of Applied Physics Volume: 59 Pages: SGGE08
  • DOI: 10.35848/1347-4065/ab6e05
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Room-temperature operation of AlGaN ultraviolet-B laser diode at 298 nm on lattice-relaxed Al0.6Ga0.4N/AlN/sapphire (2020)
  • Author(s): K. Sato, S. Yasue, K. Yamada, S. Tanaka, T. Omori, S. Ishizuka, S. Teramura, Y. Ogino, S. Iwayama, H. Miyake, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
  • Journal Title: Applied Physics Express Volume: 13 Pages: 031004
  • DOI: 10.35848/1882-0786/ab7711
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] MOVPE growth of n-GaN cap layer on GaInN/GaN multi-quantum shell LEDs (2020)
  • Author(s): N. Goto, N. Sone, K. Iida, W. Lu, A. Suzuki, H. Murakami, M. Terazawa, M. Ohya, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, I. Akasaki
  • Journal Title: Journal of Crystal Growth Volume: 539 Pages: 125571
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2020.125571
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Development of Monolithically Grown Coaxial GaInN/GaN Multiple Quantum Shell Nanowires by MOCVD (2020)
  • Author(s): K. Ito, W. Lu, N. Sone, Y. Miyamoto, R. Okuda, M. Iwaya, T. Tekeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
  • Journal Title: Nanomaterials Volume: 10 Pages: 1354
  • DOI: 10.3390/nano10071354
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Internal loss of AlGaN-based ultraviolet-B band laser diodes with p-type AlGaN cladding layer using polarization doping (2020)
  • Author(s): T. Omori, S. Ishizuka, S. Tanaka, S. Yasue, K. Sato, Y. Ogino, S. Teramura, K. Yamada, S. Iwayama, H. Miyake, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
  • Journal Title: Applied Physics Express Volume: 13 Pages: 071008
  • DOI: 10.35848/1882-0786/ab9e4a
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] In situ wafer curvature measurement and strain control of AlInN/GaN distributed Bragg reflectors (2020)
  • Author(s): K. Hiraiwa, W. Muranaga, S. Iwayama, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
  • Journal Title: Applied Physics Express Volume: 13 Pages: 055506
  • DOI: 10.35848/1882-0786/ab88c6
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Efficiency Enhancement Mechanism of an Underlying Layer in GaInN‐Based Green Light ;Emitting Diodes (2020)
  • Author(s): DP. Han, S. Ishimoto, R. Mano, W. Lu, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
  • Journal Title: physica status solidi (a) Volume: 217 Pages: 1900713
  • DOI: 10.1002/pssa.201900713
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Analysis of Spontaneous Subpeak Emission from the Guide Layers of the Ultraviolet‐B Laser Diode Structure Containing Composition‐Graded p‐AlGaN Cladding Layers (2020)
  • Author(s): K. Sato, S. Yasue, Y. Ogino, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
  • Journal Title: physica status solidi (a) Volume: 217 Pages: 1900864
  • DOI: 10.1002/pssa.201900864
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Photoluminescence Characterization of Fluorescent SiC with High Boron and Nitrogen Concentrations (2020)
  • Author(s): D. Tanaka, W. Lu, S. Kamiyama, M. Iwaya, T. Takeuchi, I. Akasaki
  • Journal Title: Materials Science Forum Volume: 1004 Pages: 265-271
  • DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.265
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Thermodynamic analysis of GaInN-based light-emitting diodes operated by quasi-resonant optical excitation (2020)
  • Author(s): DP. Han, CH. Oh, DS. Shin, JI. Shim, M. Iwaya, T. Takeuchi, . Kamiyama, I. Akasaki
  • Journal Title: Journal of Applied Physics Volume: 128 Pages: 123103
  • DOI: 10.1063/5.0008041
  • Peer Reviewed / Int'l Joint Research
• [Journal Article] Room-temperature continuous-wave operations of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with buried GaInN tunnel junctions (2020)
  • Author(s): K. Kiyohara, M. Odawara, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki, T. Saito
  • Journal Title: Applied Physics Express Volume: 13 Pages: 111003
  • DOI: 10.35848/1882-0786/abbe80
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Voltage-Controlled Anodic Oxidation of Porous Fluorescent SiC for Effective Surface Passivation (2020)
  • Author(s): K. Yanai, W. Lu, Y. Yamane, DP. Han, H. Ou, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
  • Journal Title: Nanomaterials Volume: 10 Pages: 2075
  • DOI: 10.3390/nano10102075
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Correlation between Optical and Structural Characteristics in Coaxial GaInN/GaN Multiple Quantum Shell Nanowires with AlGaN Spacers (2020)
  • Author(s): W. Lu, Y. Miyamoto, R. Okuda, K. Ito, N. Sone, M. Iwaya, T. Tekeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
  • Journal Title: ACS Applied Materials & Interfaces Volume: 12 Pages: 51082-51091
  • DOI: 10.1021/acsami.0c15366
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Color-tunable emission in coaxial GaInN/GaN multiple quantum shells grown on three-dimensional nanostructures (2020)
  • Author(s): W. Lu, K. Ito, N. Sone, R. Okuda, Y. Miyamoto, M. Iwaya, T. Tekeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
  • Journal Title: Applied Surface Science Volume: 539 Pages: 148279
  • DOI: 10.1016/j.apsusc.2020.148279
• [Journal Article] Identifying the cause of thermal droop in GaInN-based LEDs by carrier-and thermo-dynamics analysis (2020)
  • Author(s): DP. Han, GW. Lee, SM., Dong-Soo Shin, Jong-In Shim, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
  • Journal Title: Scientific Reports Volume: 10 Pages: 1-11
  • DOI: 10.1038/s41598-020-74585-w
  • Peer Reviewed / Open Access / Int'l Joint Research
• [Journal Article] High-quality AlInN/GaN distributed Bragg reflectors grown by metalorganic vapor phase epitaxy (2020)
  • Author(s): T. Akagi, Y. Kozuka, K. Ikeyama, S. Iwayama, M. Kuramoto, T. Saito, T. Tanaka, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
  • Journal Title: Applied Physics Express Volume: 13 Pages: 125504
  • DOI: 10.35848/1882-0786/abc986
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Aperture diameter dependences in GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with nano-height cylindrical waveguide formed by BCl3 dry etching (2020)
  • Author(s): R. Iida, Y. Ueshima, S. Iwayama, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki, M. Kuramoto, T. Kamei
  • Journal Title: Applied Physics Express Volume: 13 Pages: 012003
  • DOI: 10.35848/1882-0786/abcfd7
  • Peer Reviewed
• [Presentation] Fabrication of index-guided multi-quantum shell lasers toward room-temperature pulsed lasing operation (2021)
  • Author(s): S. Kamiyama T. Takeuchi, M. Iwaya, and I. Akasaki
  • Organizer: Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity
  • Int'l Joint Research
• [Presentation] MOVPE growth and fabrication of multi-quantum-shell-based blue lasers (2021)
  • Author(s): S. Kamiyama, W. Lu, N. Sone, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
  • Organizer: The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
  • Int'l Joint Research
• [Presentation] Crystal growth of n-GaN on nanowire-based light emitter including multiple-quantum-shell and tunnel junction (2021)
  • Author(s): Y. Miyamoto, N. Sone, W. Lu, K. Ito, R. Okuda, K. Iida, M. Ohya, K. Okuno, K. Mizutani, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
  • Organizer: SPIE Photonics West 2021
  • Int'l Joint Research
• [Presentation] Improvement of device performance in UV-B laser diodes (2021)
  • Author(s): M. Iwaya, S. Tanaka, Y. Ogino, M. Shimokawa,K. Yamada, T. Omori, S. Ishizuka, S. Teramura,K. Sato, S. Iwayama, T. Takeuchi, S. Kamiyama,I. Akasaki, H. Miyake
  • Organizer: SPIE Photonics West 2021
  • Int'l Joint Research / Invited
• [Presentation] Device fabrication for multiple quantum shell nanowires based laser diodes (2021)
  • Author(s): R. Okuda, W. Lu, N. Sone, Y. Miyamoto, K. Ito, K. Iida, M. Ohya, K. Okuno, K. Mizutani, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
  • Organizer: SPIE Photonics West 2021
  • Int'l Joint Research
• [Presentation] Emission wavelength control of GaInN/GaN multi-quantum shells /nanowires grown by metalorganic vapour phase epitaxy (2021)
  • Author(s): K. Ito, W. Lu, N. Sone, Y. Miyamoto, R. Okuda, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
  • Organizer: SPIE Photonics West 2021
  • Int'l Joint Research
• [Presentation] In-situ activation of MOVPE-grown GaN tunnel junctions (2021)
  • Author(s): T. Ito, M. Odawara, M. Tasaki, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
  • Organizer: 13th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials
  • Int'l Joint Research
• [Presentation] 近接昇華法による4H-SiCのB,N高濃度コドーピングに関する検討 (2021)
  • Author(s): 山根耀真、Weifang Lu、柳井光佑、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
  • Organizer: 第68回応用物理学会春季学術講演会
• [Presentation] 量子殻活性層及びトンネル接合を有するレーザ構造の作製と評価 (2021)
  • Author(s): 奥田廉士、Weifang Lu、曽根直樹、飯田一喜、奥野浩司、水谷浩一、宮本義也、伊藤和真、神野幸美、勝呂紗衣、中山奈々美、山村志織、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
  • Organizer: 第68回応用物理学会春季学術講演会
• [Presentation] 量子殻/トンネル接合を用いたナノワイヤLD実現に向けたGaN結晶中の不純物ドーピング評価 (2021)
  • Author(s): 曽根直樹、宮本義也、奥田廉士、伊藤和真、山村志織、神野幸美、勝呂紗衣、中山奈々美、奥野浩司、水谷浩一、飯田一喜、Weifang Lu、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
  • Organizer: 第68回応用物理学会春季学術講演会
• [Presentation] GaInN 系量子殻の光学特性改善のためのGaInN/GaN超格子の検討 (2021)
  • Author(s): 中山奈々美、Weifang Lu、曽根直樹、伊藤和真、宮本義也、奥田廉士、勝呂紗衣、神野幸美、山村志織、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
  • Organizer: 第68回応用物理学会春季学術講演会
• [Presentation] 2つの手法を組み合わせたシミュレーション法によるナノパターン化基板を用いたGaInN系緑色LEDの光取り出し効率の計算 (2021)
  • Author(s): 平松稜也, 韓東杓, 眞野稜也, 高橋遼, 藤木領人, 澤井奏人, 寶藏圭祐、上山智, 竹内哲也、 岩谷素顕, 赤﨑勇
  • Organizer: 第68回応用物理学会春季学術講演会
• [Presentation] 量子殻デバイスへのトンネル接合導入のためのm面GaN基板上トンネル接合成長に関する検討 (2021)
  • Author(s): 山村志織、宮本義也、曽根直樹、Weifang Lu、奥田廉士、伊藤和真、神野幸美、中山奈々美、勝呂紗衣、奥野浩司、水谷浩一、飯田一喜、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
  • Organizer: 第68回応用物理学会春季学術講演会
• [Presentation] トンネル接合を用いた量子殻レーザの実現に向けたn-GaNへの電極形成に関する検討 (2021)
  • Author(s): 神野幸美, 奥田廉士, 水谷浩一, 奥野浩司, 飯田一喜, 宮本義也, 山村志織, 曽根直樹, 伊藤和真, 勝呂紗衣, Weifang Lu、中山奈々美、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤崎勇
  • Organizer: 第68回応用物理学会春季学術講演会
• [Presentation] AlGaN系UV-B LD構造における注入効率向上に関する検討 (2021)
  • Author(s): 薮谷歩武，大森智也，田中隼也，山田和輝，佐藤恒輔，岩山章，岩谷素顕，竹内哲也，上山智，赤﨑勇，三宅秀人
  • Organizer: 第68回応用物理学会春季学術講演会
• [Presentation] 高温スパッタ法によるScAlMgO4基板上AlNバッファ層の検討 (2021)
  • Author(s): 寶藏圭祐、韓東杓、眞野稜也、高橋遼、藤木領人、平松稜也、澤井奏人、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇、福田承生、藤井高志
  • Organizer: 第68回応用物理学会春季学術講演会
• [Presentation] GaInN系量子殻LEDのEL特性 (2021)
  • Author(s): 勝呂紗衣、Weifang Lu、伊藤和真、中山奈々美、曽根直樹、奥田廉士、宮本義也、神野幸美、山村志織、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
  • Organizer: 第68回応用物理学会春季学術講演会
• [Presentation] 量子殻特異構造の作製と光デバイス応用 (2021)
  • Author(s): 上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
  • Organizer: 第68回応用物理学会春季学術講演会
  • Invited
• [Presentation] ITOを用いた窒化物半導体量子殻LED長波長発光デバイスの作製 (2020)
  • Author(s): 伊藤和真、Weifang Lu、曽根直樹、宮本義也、奥田廉士、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
  • Organizer: 第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [Presentation] トンネル接合を用いた屈折率導波型量子殻レーザ構造の検討 (2020)
  • Author(s): 奥田廉士、Weifang Lu、曽根直樹、飯田一喜、大矢昌輝、奥野浩司、水谷浩一、宮本義也、伊藤和真、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
  • Organizer: 第８１回応用物理学会秋季学術講演会
• [Presentation] トンネル接合を用いた量子殻LD 実現に向けた結晶成長評価 (2020)
  • Author(s): 曽根直樹、奥田廉士、宮本義也、伊藤和真、飯田一喜、奥野浩司、水谷浩一、大矢昌輝、Weifang Lu、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
  • Organizer: 第８１回応用物理学会秋季学術講演会
• [Presentation] ミスト供給法を用いたAlInN層の熱酸化の低温化 (2020)
  • Author(s): 松本浩輝、岩山章、小出典克、小田原麻人、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、丸山隆浩、赤崎 勇
  • Organizer: 第８１回応用物理学会秋季学術講演会
• [Presentation] GRIN-SCH構造を用いたAlGaN系UV-Bレーザダイオードの最適化 (2020)
  • Author(s): 田中隼也、佐藤恒輔、安江信次、荻野雄矢、山田和輝、石塚彩花、手良村昌平、岩山章、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、三宅秀人
  • Organizer: 第８１回応用物理学会秋季学術講演会
• [Presentation] ナノパターンを形成したAlNおよび Al0.55Ga0.45N上へのAl0.55Ga0.45Nの結晶成長 (2020)
  • Author(s): 手良村昌平、下川萌葉, 岩山章, 岩谷素顕 , 竹内哲也, 上山智, 赤﨑勇、正直花奈子、三宅秀人
  • Organizer: 第８１回応用物理学会秋季学術講演会
• [Presentation] サファイア基板上AlGaN材料UVBレーザダイオード の構造検討 (2020)
  • Author(s): 佐藤恒輔，山田和輝, 石塚 彩花,田中隼也, 大森智也, 手良村昌平, 岩山章, 三宅秀人,岩谷 素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤﨑勇
  • Organizer: 第８１回応用物理学会秋季学術講演会
• [Presentation] 組成傾斜AlGaNクラッド層を用いた UV -B LDの内部ロス評価 (2020)
  • Author(s): 大森智也、石塚彩花、田中隼也、佐藤恒輔、安江信次、荻野雄矢、山田和輝、手良村昌平、岩山章、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、三宅秀人
  • Organizer: 第８１回応用物理学会秋季学術講演会
• [Presentation] UV -B LDにおける分極ドーピングp型AlGaNクラッド層のAl組成およびMg濃度依存性 (2020)
  • Author(s): 山田和輝、佐藤恒輔、大安江信次、田中隼也、手良村昌平、荻野雄矢、大森智也、石塚彩花、岩山章、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、三宅秀人、寒川義裕、K. Sakowski
  • Organizer: 第８１回応用物理学会秋季学術講演会
• [Presentation] 高品質AlGaN結晶の結晶成長とその上に作製したUV-B半導体レーザ (2020)
  • Author(s): 岩谷素顕、佐藤恒輔、田中隼也、手良村昌平、大森智也、山田和輝、石塚彩花、下川萌葉、荻野雄矢、岩山章、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、三宅秀人
  • Organizer: 第８１回応用物理学会秋季学術講演会
  • Invited
• [Presentation] 高温アニールしたスパッタAlNテンプレート上に成長した Al 0.6Ga 0.4N厚膜のホモエピタキシャルAlN層依存性 (2020)
  • Author(s): 下川萌葉，手良村昌平，岩山章，岩谷素顕，竹内哲也，上山智，赤﨑勇，三宅秀人
  • Organizer: 第49回結晶成長国内会議
• [Presentation] AlGaN UVB レーザダイオードのキャリア注入効率の算出 (2020)
  • Author(s): 佐藤恒輔、大森智也、山田和輝、田中隼也、石塚彩花、手良村昌平、岩山章、岩谷素顕、三宅秀人、竹内哲也、上山智、赤﨑勇
  • Organizer: 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
• [Presentation] 量子殻活性層およびトンネル接合を有するナノワイヤ発光デバイス実現に向けた結晶成長に関する検討 (2020)
  • Author(s): 宮本義也、曽根直樹、Weifang Lu、奥田廉士、伊藤和真、奥野浩司、飯田一喜、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
  • Organizer: 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会