2008 Fiscal Year Annual Research Report
| Project Area | Creation and control of spin current |
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19048018
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
田中 雅明 The University of Tokyo, 大学院・工学系研究科, 教授 (30192636)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
大矢 忍 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助教 (20401143)
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| Keywords | スピン / 磁性半導体 / 不揮発性メモリ / 不揮発性メモリ / 分子線エピタキシー / スピントランジスタ / ヘテロ構造 / MnAs |
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| Research Abstract |
不揮発性メモリ機能および再構成可能な機能をもつデバイス作製のための材料形成および物性機能の制御を目指した基礎研究を行う。特に、デバイスの構成要素であるIII-V族およびIV族ベースの磁性半導体、III-V族およびIV族半導体と整合性の良い強磁性金属とそのヘテロ構造のエピタキシャル成長による形成、評価、物性制御の研究を中心に行った。平成20年度は、前年度に引き続き、分子線エピタキシー装置により、
1)IV族系材料として、MnドープGe、FeドープGeおよびそのヘテロ構造、FeSi系化合物、MnAs/Siヘテロ構造
2)III-V族系材料として、MnドープGaAsおよびそのヘテロ構造、MnドープInGaAsおよびそのヘテロ構造
3)MnAs微粒子を含む半導体ヘテロ構造の結晶成長を行い、物性機能を制御できるようにするとともに、スピン依存伝導を測定し、2端子素子(磁気抵抗素子)および3端子素子(スピントランジスタ)を試作し、その基本特性を明らかにした。
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