2009 Fiscal Year Self-evaluation Report
Creation of Functional Carbon Nanotubes by Plasma Process Control
| Project Area | Carbon nanotube nanoelectronics |
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| Project/Area Number |
19054001
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Review Section |
Science and Engineering
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
HATAKEYAMA Rikizo Tohoku University, 大学院・工学研究科, 教授 (00108474)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2011
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| Keywords | プラズマプロセス / 構造制御配向成長 / 内包ナノチューブ / 電気磁気光機能 |
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| Research Abstract |
原子・分子レベルの物理・化学視点に立つ新たなデバイス創出プロセスとしてチューブ1本、1本を対象とするナノスコピックプラズマプロセスを提唱する。具体的には先ず、申請者らが開発した拡散プラズマ支援化学気相堆積(CVD)法により、単独・孤立垂直配向の単層と二層カーボンナノチューブ(SWNT、DWNT)を平面基板上に低温成長させる。次に、電荷活用原子(Cs等のアルカリ金属、Ca等の同土類金属、I等のハロゲン)及びフラーレン(C_<60>、C_<70>、C_<84>、C_<59>N、原子内包C_<60>)等の分子、更にスピン活用原子(Fe等の強磁性金属)の正と負のイオンから成る新規異種イオンプラズマを生成・制御し、基板バイアス法を用いてチューブ内部空間にプラズマイオン注入を選択的に行う。最終的には、本プロセスの体系的制御・駆使により、超高度ナノ構造を有する単独・孤立配向カーボンナノチューブ1本による1次元ナノデバイス(ダイオード、共鳴トンネル伝導体、超伝導体、磁性半導体、発光体、光電変換体等)創成に資する。また、研究展開に応じてそれらの薄膜化によるデバイス創成も視野に入れる。
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