1989 Fiscal Year Annual Research Report
Project/Area Number |
01550253
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Research Institution | Tokyo Polytechnic University |
Principal Investigator |
澤田 豊 東京工芸大学, 工学部, 講師 (30187299)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
飯泉 清賢 東京工芸大学, 工学部, 講師 (30064273)
久高 克也 東京工芸大学, 工学部, 教授 (50064259)
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Keywords | 透明導電膜 / 低温製膜 / 低抵抗 / スパッタリング / 水蒸気 / 酸化インジウム / ITO膜 / タ-ゲット |
Research Abstract |
透明導電膜である酸化インジウム系薄膜(ITO膜)は液晶表示素子の透明電極などに広く使用されている。本研究の目的はITO膜の新しいスパッタリング製膜プロセスを確立することである。申請者は、以前に独自の製膜法(水蒸気雰囲気での製膜)によって、基板加熱なしに低抵抗の膜を実現している。本研究の実施計画では、上記の可能性探索実験を発展させ、初年度(平成元年度)に製膜条件の最適化を行い、次年度(平成2年度)に製膜条件、膜成長機構および膜物性の相関性を明らかにして普遍性ある応用技術への発展をはかることを目指している。現在までに達成した成果は以下の通りである。 1.製膜装置の改造:現有のスパッタリング製膜装置に独自の水蒸気導入機構とタ-ボ分子ポンプを装着した。これによって、導入ガスの圧力設定範囲が2桁ほど拡大し、ガス流量が1桁ほど増大したので、広範囲かつ安定した製膜条件設定が可能となり、当初の計画を達成した。 2.タ-ゲットの製作:当初の計画通り、スパッタ製膜のためのITOタ-ゲットの自作を完了した。 3.製膜および評価:上記の製膜装置とタ-ゲットを用いて、導入ガスの混合比を変えてITO膜を作製し、膜の評価を行った。これによって製膜条件の最適化が実施され、年度目標が達成された。 4.福次的な成果:本研究の副産物的な成果として、以下の新知見が得られた。 (1)セラミック製タ-ゲットの表面酸化状態と得られた膜の特性との間に顕著な相関性が認められた。この情報は、普遍性ある製膜技術確立(来年度実施予定)の有力な手がかりになると予想される。 (2)基板の表面状態が堆積した膜の特性に著しく影響することが明らかになり、基板の表面状態を制御する事によって本研究とは異なる方法で低抵抗膜を低温で作製できる可能性が見いだされた。
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Research Products
(2 results)